SiC碳化硅功率器件产品线和硅基产品线介绍
碳化硅二极管 碳化硅mosfet 碳化硅半导体
sic碳化硅功率器件产品线和硅基产品线介绍
硅基功率器件为第二代半导体，碳化硅功率器件为第三代半导体，碳化硅功率器件又称为碳化硅电力电子器件，特性优势明显，目前为最先进的功率器件。下面我们就来介绍一下sic碳化硅功率器件产品线和硅基产品线。
碳化硅功率器件涵盖碳化硅裸芯片，碳化硅二极管和碳化硅mosfet，还要碳化硅模块。我们重点介绍一下碳化硅二极管和碳化硅mosfet。碳化硅二极管除了确保符合当今最严格的能效法规（energy star、80plus、以及european efficiency）外，碳化硅二极管的动态特性是标准硅二极管的四倍，而正向电压（vf）比其低15%。 碳化硅（sic）二极管的使用大大提高了太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源和电动车电路的效率和稳定性。拿慧制敏造半导体的碳化硅二极管来分析，碳化硅二极管在600v到1200v的电压范围内采用单二极管和双二极管（封装尺寸从dpak到to-247），包括陶瓷绝缘型to-220，以及超薄的紧凑型powerflattm 8x8，具有优异的热性能，是高电压（hv）表面贴装（smd）封装的新标准，可用于650 v碳化硅二极管（4 a - 10 a）。拿慧制敏造半导体的碳化硅mosfet来分析，碳化硅 mosfet 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、ups、pfc 电源等领域有广泛应用。新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 mosfet（to-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 emi 表现。
碳化硅二极管
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