GD的抗干扰能力为何不如STM32
gd32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自st公司的，gd32也是以stm32作为模板做出来的。所以gd32和stm32有很多地方都是一样的。
不过gd32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用stm32，有些自主开发的东西还是有区别的。
相同的地方我们就不说了，下面列一下不同的地方。
内核
gd32采用二代的m3内核，stm32主要采用一代m3内核，下图是arm公司的m3内核勘误表，gd使用的内核只有752419这一个bug。
主频
使用hse（高速外部时钟）：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大72m
使用hsi（高速内部时钟）：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大64m
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，gd是一个不错的选择。
供电
外部供电：gd32外部供电范围是2.6-3.6v，stm32外部供电范围是2-3.6v。gd的供电范围比stm32相对要窄一点。
内核电压：gd32内核电压是1.2v，stm32内核电压是1.8v。gd的内核电压比stm32的内核电压要低，所以gd的芯片在运行的时候运行功耗更低。
flash差异
gd32的flash是自主研发的，和stm32的不一样。
gd flash执行速度：gd32 flash中程序执行为0等待周期。
stm32 flash执行速度：st系统频率不访问flash等待时间关系，0等待周期，当0《sysclk《24mhz；1等待周期，当24mhz《sysclk≤48mhz；2等待周期，当48mhz《sysclk≤72mhz。
flash擦除时间：gd擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的“gd32f103/101系列flash 128kb及以下的型号，page erase典型值100ms， 实际测量60ms左右。”对应的st 产品page erase典型值 20~40ms。
功耗
从下面的表可以看出gd的产品在相同主频情况下，gd的运行功耗比stm32小，但是在相同的设置下gd的停机模式、待机模式、睡眠模式比stm32还是要高的。
串口
gd在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个bit的idle，而stm32没有，如下图。
gd的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。stm32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
gd 和stm32 usart的这两个差异对通信基本没有影响，只是gd的通信时间会加长一点。
adc差异
gd的输入阻抗和采样时间的设置和st有一定差异，相同配置gd采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72m的主频下，adc的采样时钟为14m的输入阻抗和采样周期的关系：
fsmc
stm32只有100pin以上的大容量（256k及以上）才有fsmc，gd32所有的100pin或100pin以上的都有fsmc。
103系列ram&flash大小差别
gd103系列和st103系列的ram和flash对比如下图：
105&107系列stm32和gd的差别
gd的105/107的选择比st的多很多，具体见下表：
抗干扰能力
关于这一点，官方没有给出，笔者也是在做项目的时候偶然发现的。
项目原本是用stm32f103c8t6，后来换成gdf103c8t6。这两个芯片的引脚完全一致，单片机用了的两个邻近的引脚作为spi的时钟引脚和数据输出引脚，然后发现stm32的spi能正常通讯，gd的不行；经过检查发现pcb板spi的铜线背面有两根iic的铜线经过，信号应该是受到影响了。
用示波器看了一下引脚的电平，发现确实是，stm32和gd的数据引脚波形都不正常，但是stm32的波形要好很多，波形虽然差了点，但是spi通讯依然正常。而gd则不能正常通讯了。
然后笔者又把spi的通讯速率减慢，发现stm32的数据引脚很快就恢复正常波形了，而gd的依然差，直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是stm32内部对引脚有做一些滤波的电路，而gd则没有。
虽然用的这个电路板本身布线有些不合理，但是在同样恶劣的环境下，stm32依然保证了通讯的正常，而gd不行，这在一定程度上说明了gd的抗干扰能力不如stm32。
原文标题：干货｜用gd32替换stm32，这些细节你都知道吗？
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不过gd32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用stm32，有些自主开发的东西还是有区别的。
相同的地方我们就不说了，下面列一下不同的地方。
内核
gd32采用二代的m3内核，stm32主要采用一代m3内核，下图是arm公司的m3内核勘误表，gd使用的内核只有752419这一个bug。
主频
使用hse（高速外部时钟）：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大72m
使用hsi（高速内部时钟）：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大64m
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，gd是一个不错的选择。
供电
外部供电：gd32外部供电范围是2.6-3.6v，stm32外部供电范围是2-3.6v。gd的供电范围比stm32相对要窄一点。
内核电压：gd32内核电压是1.2v，stm32内核电压是1.8v。gd的内核电压比stm32的内核电压要低，所以gd的芯片在运行的时候运行功耗更低。
flash差异
gd32的flash是自主研发的，和stm32的不一样。
gd flash执行速度：gd32 flash中程序执行为0等待周期。
stm32 flash执行速度：st系统频率不访问flash等待时间关系，0等待周期，当0《sysclk《24mhz；1等待周期，当24mhz《sysclk≤48mhz；2等待周期，当48mhz《sysclk≤72mhz。
flash擦除时间：gd擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的“gd32f103/101系列flash 128kb及以下的型号，page erase典型值100ms， 实际测量60ms左右。”对应的st 产品page erase典型值 20~40ms。
功耗
从下面的表可以看出gd的产品在相同主频情况下，gd的运行功耗比stm32小，但是在相同的设置下gd的停机模式、待机模式、睡眠模式比stm32还是要高的。
串口
gd在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个bit的idle，而stm32没有，如下图。
gd的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。stm32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
gd 和stm32 usart的这两个差异对通信基本没有影响，只是gd的通信时间会加长一点。
adc差异
gd的输入阻抗和采样时间的设置和st有一定差异，相同配置gd采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72m的主频下，adc的采样时钟为14m的输入阻抗和采样周期的关系：
fsmc
stm32只有100pin以上的大容量（256k及以上）才有fsmc，gd32所有的100pin或100pin以上的都有fsmc。
103系列ram&flash大小差别
gd103系列和st103系列的ram和flash对比如下图：
105&107系列stm32和gd的差别
gd的105/107的选择比st的多很多，具体见下表：
抗干扰能力
关于这一点，官方没有给出，笔者也是在做项目的时候偶然发现的。
项目原本是用stm32f103c8t6，后来换成gdf103c8t6。这两个芯片的引脚完全一致，单片机用了的两个邻近的引脚作为spi的时钟引脚和数据输出引脚，然后发现stm32的spi能正常通讯，gd的不行；经过检查发现pcb板spi的铜线背面有两根iic的铜线经过，信号应该是受到影响了。
用示波器看了一下引脚的电平，发现确实是，stm32和gd的数据引脚波形都不正常，但是stm32的波形要好很多，波形虽然差了点，但是spi通讯依然正常。而gd则不能正常通讯了。
然后笔者又把spi的通讯速率减慢，发现stm32的数据引脚很快就恢复正常波形了，而gd的依然差，直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是stm32内部对引脚有做一些滤波的电路，而gd则没有。
虽然用的这个电路板本身布线有些不合理，但是在同样恶劣的环境下，stm32依然保证了通讯的正常，而gd不行，这在一定程度上说明了gd的抗干扰能力不如stm32。
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