突破性P沟道功率MOSFET
随着这种新器件的发布，采用四种表面贴装封装类型的trenchfet gen iii p沟道功率mosfet现已供货，其中包括耐热增强型powerpak® so-8封装，它可在so-8占位面积中实现低至1.9mΩ的业界最低的导通电阻。sib457edk采用powerpak ®sc-75封装，是该系列中是迄今最小的器件，在1.6mm×1.6mm占位面积中实现了业界最低的导通电阻。其rds(on)值从4.5v的35mΩ到1.5v的130mΩ。与具有相同额定电压的最接近的p沟道器件相比，这些新的sib457edk在4.5v和2.5v电压下的导通电阻降低了42%，在1.8v电压下的导通电阻则降低了46%。
该器件在4.5v和2.5v电压下的导通电阻降低了42%，在1.8v电压下的导通电阻则降低了46%、trenchfet® gen iii p沟道技术在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
日前，vishay intertechnology, inc.（nyse股市代号：vsh）宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20v p沟道功率mosfet --- sib457edk，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的p沟道器件所不曾实现的。新型sib457edk采用了trenchfet® gen iii p沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。该项前沿技术可实现极其精细、亚微米线宽工艺，将目前业界p沟道mosfet的最低导通电阻减小了将近一半。
trenchfet gen iii p沟道mosfet有助于在各种应用中节约能源，如笔记本电脑和工业/通用系统中的适配器和负载开关，以及手机、智能手机、pda和mp3播放器等便携式设备的充电电路中的负载开关。每平方英寸装入十亿个单元的工艺实现了低导通电阻，这项重大技术突破意味着更低的传导损耗、节省功耗和延长两次充电之间的电池寿命。下表总结了目前发布的trenchfet gen iii p沟道器件的主要规格。
sib457edk规定了四个栅极至源极电压条件下的导通电阻额定值，包括使设计以较小的输入电压实现较高的安全裕量的1.5v额定值。同时，其紧凑的powerpak sc-75封装可减少电源电路所需的空间，为其他产品功能或实现更小的最终产品开辟了空间。sib457edk还采用了2500v典型esd保护，可减少现场故障，同时具有在vgs = 8v条件下仅为5μa的低漏电流。
p沟道trenchfet gen iii功率mosfet系列为无卤素产品，符合iec 61249-2-21、rohs指令2002/95/ec，以及100%的rg测试要求。
新型sib457edk trenchfet功率mosfet已提供样品，并已实现量产，大宗订单的交货时间为10至12周。
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