兆易创新“一种NAND闪存芯片的测试样本”专利获授权
兆易创新科技有限公司对“一种nand闪存芯片的测试样本”申请专利（专利税公告为10月10日，专利税公告为cn108242252b。
根据专利摘要，本发明实际公开了nand闪存芯片的测试样本，测试样本由多个相同的样本区域组成，每个样本区域包含多个相邻的数据块。相邻的几个数据块会测试不同的擦除次数。在多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间的间隔预先设定相邻数据块的数量。
该发明实施例多个相邻的数据块构成对区域的其他音次数的测试样品，样品测试在一定的间隔均匀地分布在同一样本区域团芯片实现多种擦写次数的测试测试不仅降低了成本，同时另一个擦写的普及次数测试nand闪存的基本性能进行评价。
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