MOS管的死区损耗计算
mos 管在逆变电路，开光电源电路中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图figure 1中的同步buck 变换器，high-side mosfet 为上管， low-side mosfet为下管。
如果上管和下管同时导通，就会导致电源短路，mos 管会损坏，甚至时电源损坏，这种损坏是灾难行动，必须避免．由于mos 的开通和关断都是有时沿的，为了避免上管和下管同时导通，造成短路现象，从而引入了死区的概念，也就是上下管同时关断的区间，如图figure2 中的e 和 f。
死区e---tdf上管关断，下管还没开启，下管体二极管续流，电流从最大值io + δi/2 开始下降，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区e的电流恒定，以方便计算。
死区ｅ对应的功耗为：
死区f---tdf下管关断，上管还没开启，下管体二极管续流，电流接近最小值io - δi/2 ，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区f的电流恒定，以方便计算。
死区ｆ对应的功耗为：
工程上快速估算时，也会用把两个死区的电流平均化，近似用io替代， 一个完整的开关周期的死区损耗如下：
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