缩减LED/功率元件测试成本 PXI模组化SMU亮相
pxi模组化电源测量单元（smu）仪器问世。高亮度发光二极体（led）、绝缘闸双极性电晶体（igbt）、金属氧化物半导体场效电晶体 （mosfet）等需要smu输出瞬间高瓦数的电源进行测量，然高瓦数的smu往往价格昂贵，有鉴于此，美商国家仪器（ni）发布新一代pxi模组化 smu仪器，助力客户大幅降低测试成本。
美商国家仪器自动化测试东亚区行销技术经理张天生（左）表示，pxie 4139颠覆传统smu的设计与性能，準备在高功率半导体元件测试市场大展身手。右为美商国家仪器自动化测试行销经理潘建安
美商国家仪器自动化测试东亚区行销技术经理张天生表示，随着led单价骤降，降低生产成本亦面临极大的挑战，遂让更具成本竞争力的pxi模组化测试仪器优势尽现，也因此，该公司持续推出采用pxi模组化架构开发的新款smu仪器。
不仅是led，igbt、mosfet等功率半导体元件亦需高瓦数的smu进行测试，但随着led和功率半导体元件的价格直落，半导体厂商已愈来愈无力负担售价高昂的高瓦数smu，将让pxi模组化smu势力有机会在测试仪器市场抬头。
美商国家仪器自动化行销经理潘建安指出，不同于市面上的smu仪器仅有八个通道，该公司新推出的smu机台pxie 4139可扩充多达十七个通道，不仅测试速度快三倍，更可藉此减少测试成本。
据了解，pxie 4139可应用于led封装和终端，以及功率半导体元件的研发及产线端。张天生强调，由于pxie 4139测试速度快又精準，且测试量大，因此在产线端更能彰显其价值。
除大大降低测试成本之外，pxie 4139也改善传统smu暂态响应（transient response）不够快速精确的弊病。张天生说明，美商国家仪器挟独有的sourceadapt技术，消弭传统smu暂态响应过慢的缺陷，因此不会再发生因电压或电流过衝（overshooting）而造成待测物损毁的情形，有助进一步提高测试效率。
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据了解，pxie 4139可应用于led封装和终端，以及功率半导体元件的研发及产线端。张天生强调，由于pxie 4139测试速度快又精準，且测试量大，因此在产线端更能彰显其价值。
除大大降低测试成本之外，pxie 4139也改善传统smu暂态响应（transient response）不够快速精确的弊病。张天生说明，美商国家仪器挟独有的sourceadapt技术，消弭传统smu暂态响应过慢的缺陷，因此不会再发生因电压或电流过衝（overshooting）而造成待测物损毁的情形，有助进一步提高测试效率。
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