NP2300MR（n沟道增强型MOSFET）
描述
np2300mr使用先进的海沟技术提供优秀的rds()、低门和高收费
超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
应用程序。
一般特征
vds =20v，id=5a
rds(上)(typ) = 24 mΩ@ vg = 4.5 v
rds(上)(typ) = 30 mΩ@vgs = 2.5 v
high 功率 和 电流 处理 能力
lead 免费 产品
surface 安装 包
应用程序
pwm 应用 程序
load 开关
封装
sot-23-3l
原理图
标记和引脚分配
订购信息
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