详谈EEPROM和flash的区别与作用
存储器分为两大类：ram和rom，
ram就不讲了，主要讨论rom。
rom最初是不能编程的，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。 后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的eprom，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。 历史的车轮不断前进，伟大的eeprom出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。
eeprom的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即electrically erasable programmable read-only memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种eeprom的变种，变成了一类存储器的统称。
狭义的eeprom：
这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种eeprom，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的eeprom都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512k的。 例如我们常见的24c02：
广义的eeprom：
flash属于广义的eeprom，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的eeprom，我们都叫它flash。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上m的rom一般都是flash。如w25q128jvsiq：
flash分为nor flash和nand flash。
nor flash： nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。
依然w25q128jvsiq nand flash： nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，nor flash没有页），例如：w29n01hvsina
由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12m的flash多是nor型的。
使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
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nor flash： nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。
依然w25q128jvsiq nand flash： nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，nor flash没有页），例如：w29n01hvsina
由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12m的flash多是nor型的。
使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
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