DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM
ds1265w 8mb非易失(nv) sram为8,388,608位、全静态nv sram，按照8位、1,048,576字排列。每个nv sram均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视vcc是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
在没有外部电源时下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗cmos操作
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°c至+85°c工业级(ind)温度范围
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DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM
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