三星已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存

近日,三星电子宣布,已经开始批量生产第五代v-nand 3d堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度。
近两年3d nand发展速度十分迅猛,2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行着,目前市场中的主流产品堆叠层数各家基本持平,都保持在64层的阶段。但是这一平衡即将被打破,三星电子宣布第五代v-nand 3d堆叠闪存已经开始量产,其堆叠层数达到96层是目前行业纪录,三星第五代v-nand采用96层堆叠设计,内部集成了超过850亿个3d tlc ctf闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单die容量达256gb(32gb)。
三星第五代v-nand 3d堆叠闪存业界首次采用toggle ddr 4.0接口,传输速率提升至1.4gbps,与前代64层堆栈的v-nand闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒,比上代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
为了实现上述所有的改进,新一代v-nand采用了96层层堆叠设计,它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔,这些小孔用作通道,尺度仅有几百微米宽。这种制造方法包括了许多先进技术,比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述,但该公司称,v-nand的改进让每个存储层的厚度已经削薄了20%,并使其生产效率提高了30%以上。
据了解,三星目前正在全力扩大第五代v-nand 3d堆叠闪存的生产线以增加产量。另外还有消息称,三星正在计划开发1tb(128gb)容量的qlc v-nand闪存颗粒,来降低超大容量的ssd产品售价,以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。

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