串行FRAM存储器64K MB85RS64概述及特点
富士通fram是新一代非易失性存储器，其性能优于e2prom和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次读写操作。fram是非易失性的，但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、rfid、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。本篇文章代理商英尚微电子介绍富士通串行fram存储器64k mb85rs64。
描述
mb85rs64是一款8，192字×8位配置的fram（铁电存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅cmos工艺技术形成非易失性存储单元。mb85rs64采用串行外设接口（spi）。mb85rs64能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是sram所需要的。
mb85rs64采用的存储单元可进行1010次读写操作，相比flash存储器和e2prom支持的读写操作次数有显着提升。mb85rs64不像闪存和e2prom那样需要很长时间来写入数据，并且mb85rs64不需要等待时间。
特点
•位配置：8，192字×8位
•serial peripheral interface:spi对应spi模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作频率：20mhz（最大）
•高耐用性：100亿次读/写
•数据保留：10年（+85℃）
•工作电源电压：2.7v至3.6v
•低功耗：工作电源电流1.5（tbd）ma（typ@20mhz）待机电流10μa（tbd）（typ）
•工作环境温度范围：-40℃至+85℃
•封装：8针塑料sop（fpt-8p-m02）符合rohs
引脚分配
独立fram提供了将 fram 同化到任何需要高速非易失性存储器的系统的灵活性。 fram不需要电池来备份其数据，从而在整个系统中节省了大量成本和电路板空间。它可以用于存储设备的设置、配置、状态，并且数据可以在以后使用。这些存储的数据可用于重置设备、分析上次状态和激活恢复操作。逐字节随机访问使内存管理更有效。
fram只是一种像ram一样运行的高速非易失性存储器。这允许程序员根据需要灵活地分配rom和ram 存储器映射。它为最终用户创造了在底层对fram进行编程以根据他们的个人进行定制的机会。
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特点
•位配置：8，192字×8位
•serial peripheral interface:spi对应spi模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作频率：20mhz（最大）
•高耐用性：100亿次读/写
•数据保留：10年（+85℃）
•工作电源电压：2.7v至3.6v
•低功耗：工作电源电流1.5（tbd）ma（typ@20mhz）待机电流10μa（tbd）（typ）
•工作环境温度范围：-40℃至+85℃
•封装：8针塑料sop（fpt-8p-m02）符合rohs
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