射极跟随器的典型电路:
射极跟随器又叫射极输出器,是一种典型的负反馈放大器。从晶体管的连接方法而言,它实际上是共集电极放大器。图中rb是偏置电阻,c1、cl是耦合电容。信号从基极输入,从发射极输出。晶体管发射极接的电阻re,在电路中具有重要作用,它好象一面镜子,反映了输出、输入的跟随特性。
输入电压usr=ube+usc。通常usc》ube,忽略ube不计,则usr≈usc。显然,这就意味着射极限随器的电压放大倍数近似等于1,即:输入电压幅度与输出电压幅度近似相等。当usr增加时,ib、ie都增加,发射极电压ue(usc)也就增加。反之,usr减小时usc也减小。这说明输出电压与输入电压同相,正是因为不仅输出电压与输入电压大小相等,而且相位也相同。输出电压紧紧跟随输人电压而变化,我们把这种具有跟随特性的电路称为“射极限随器”。
射极跟随器以很小的输人电流却可以得到很大的输出电流(ie=(1+β)ib)。因此具有电流放大及功率放大作用。需要区别的是普通的多级共射级放大电路,是不放大电流放大电压,这点跟射随是相反的。在电视电路中,中放解出tv的视频图像后用射极电路来输出,保证输出图像的变化随输入而改变,需主意的是一般幅度要达到1.2v左右,需通过调节rb和re的比例调节输出交流波形的幅度。
射极跟随器型开关电路的设计
8.4. 1给射极跟随器输入大振幅
射极跟随器是电压放大倍数为1的放大电路。这种电路具有直流增益,利用输入大振幅的方波可以起到与开关电路相同的作用。
图8.17示出将射极跟随器演变为开关电路的过程。首先,为了获得直流增益从图8.17(a)一般的射极跟随器中去掉输入输出耦合电容c1和c2,变成图8.17(b)所示的电路。由于没有必要给基极加偏置电压(因为输入信号为0v时晶体管处于截止状态),所以如图8.17(c)所示再去掉1。但是,为了确保没有输入信号时晶体管处于截止状态,所以保留使基极处于gnd电位的电阻r2。这样就把射极跟随器变成了开关电路。
图8.18的电路是给图8.17(c)的电路赋予具体电路常数值的射极跟随器型开关电路。
照片8.9是给这个电路输入1khz、4vp-p的正弦波时的输入输出波形。当输入信号的振幅在+0.6v以下时晶体管处于截止状态,所以只有i的正半周波形作为输出波形出现。而且的振幅值总比低0.6v(晶体管的vbe)。
照片8.10是给图8.18的电路输入1mhz、0v/+5v方波时的输入输出波形。因为输出波形就是晶体管的发射极电位,所以它追随输入信号,输 出的是0v/+4.4v的方波。也就是说由于这个电路是射极跟随器的变形,所以输入输出信号的相位也与放大电路的情况相同,都是同相的。
8.4.2开关速度
8.3节曾经讲到如果发射极接地型开关电路中不采用加速电容等技术,就不能够提高开关速度。但是,这里的射极跟随器型开关电路继承了射极跟随器频率 特性好的优点。如照片8.10所示,即使1mhz的频率也能够很容易地实现开关。尽管图8.5和图8.18中使用的晶体管是相同的。射极跟随器型开关电路 的重要特点就是能够实现高速开关。与发射极接地型开关电路相比,由于不需要限制基极电流的电阻(因为基极电流必须是负载电流的1/hfe),所以它的另一个优点就是元件少。
图8.18的电路是在发射极连接负载电阻rl。不过也有不连接负载电阻的电路,如图8.19那样发射极原封不动地成了输出端。
与发射极接地型开关电路的开路集电极相对应,把这种电路叫做开路发射极电路。它应用于高速开关外部负载的场合。
8.4.3设计开关电路的指标
图8.18的电路的设计指标如下。这是应用0v/+5v的4000b系列cmos逻辑电路的信号对5ma的负载电流进行接通/断开的电路。
8.4.4晶体管的选择
负载电流(发射极电流)的指标是5ma,所以晶体管的集电极电流(=发射极电流)的最大额定值必须大于5ma。因为必须由4000b系列cmosic提供基极电流,所以为了将基极电流抑制在0.1ma(一般不怎么能够从4000b系列cmosic中取出电流
),而负载电流是5ma, 所以hfe必须在50(=5ma/0.1ma)以上。
另外,晶体管处于截止状态时电源电压(在这里是+5v)是加在集电极发射极间和集电极基极间,所以所选择晶体管的集电极发射极间和集电极基极间的最大额定值vceo、vcbo必须大于电源电压。
按照ic>5ma,hfe>50,vceo>5v,vcbo>5v的条件,与发射极接地时情况相同选择2sc2458(东芝)。当然使用
pnp晶体管也无妨,不过这时的电路变成图8.20所示的那样。
开路发射极的设计也完全相同,由加在外部负载上的电压以及从输出端(发射极)流出或者吸入的最大负载电流为根据选择晶体管。
射极跟随器型开关电路的负载电流原封不动地就是发射极电流,所以必须给输入端提供它的1/hfe的基极电流。但是当负载电流大时,有可能无法提供驱动输入端电路所必要的基极电流。
在这种情况下,仍然和发射极接地时的办法一样,或者采用超晶体管,或者如图8.21所示将晶体管达林顿连接使用。但是,达林顿连接时需要注意发射极电位要比基极电位低1.2~1.4v(两个vbe)。
射极跟随器型开关电路中当晶体管处于导通状态时,发射极电位比基极电位低0.6~0.7v。因此,即使基极电位与集电极电位(即电源电压)相等,晶体管的集电极发射极间电压vce还是0.6~0.7v(达林顿连接时是1.2~1.4v)。这个vce与集电极电流=
发射极电流 )之积就是晶体管的热损耗,所以当负载电流大时应该注意晶体管的发热问题。
5g物联网的到来对我们生活有什么改变
通过STB和SIP终端实现视频通信设计及搭建模拟测试平台
2021款 Moto G Stylue的详细评测:骁龙678芯片,配手写笔
美国国会提出立法要求联邦机构和人工智能供应商采用最佳实践
详细阐述AI监视设备的前景与挑战
射极跟随器型开关电路的设计
运动蓝牙耳机什么牌子好,都有哪些实用的品牌
dhcp的端口号是多少_dhcp的网关应该设置成多少
手机屏幕也分三六九等,不知道你就OUT了
高性能时钟有哪些特点 Xilinx 7系列时钟管理技术解析
真空包装机PLC数据如何采集到触摸屏进行控制和管理
发电机状态监测仪中CAN适配卡的设计方案
谷歌Pixel3a系列正式发布 售价399美元起
一文解析大唐电信的现状及未来走向
配网行波故障预警与定位装置对不良数据怎么处理
云计算对统一通信意味着什么
依然不是安卓7.0!魅族Flyme 6真机首曝
人工智能怎样加强人类健康管理
交通运输部:港口长期性能监测传感器国家重点研发项目启动
采样电阻在精度上与取样电阻有什么区别