青岛芯恩将逐步引进相关联上下游半导体产业公司 逐步打造北方最具规模的半导体产业集群
近日，青岛信网报道指出，截止到2019年5月，项目管理和技术团队已签约报到管理及技术人员330人，其中博士20余人，硕士60余人。项目工程8寸厂筏板基础施工完成90%;12寸厂筏板基础施工完成93%;测试楼1首层结构完成90%;测试楼2四层结构完成90%;行政中心三层结构完成60%。已订购87台二手生产设备，其中60台已完成翻修。
芯恩（青岛）集成电路项目位于青岛国际经济合作区，一、二期总投资约188亿元，其中一期总投资约81亿元，占地约373亩，总建筑面积约35万平方米，主要从事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产，满产后可实现年均产值约46.1亿元，净利润约9.7亿元。
该项目创新性地提出了cidm商业模式。c代表了commune或communal，就是共有式的共享，即由半导体集成电路设计企业、封测企业、原材料供应企业、终端产品需求企业、设备制造企业共同联合投资打造一个集成电路制造企业，实现产业链上下游多环节、多领域企业协同、一致、联合生产，企业产品互补、分担投资、共享资源、共担分险，大大增强了产业内部协同创新和制造的能力。
在cidm模式发展过程中，核心团队将依托其已有的渠道资源和合作关系，逐步引进相关联上下游半导体产业公司，逐步打造北方最具规模的半导体产业集群。
据了解，该项目由张汝京博士领衔的中国顶级微纳电子研发制造近50人的核心团队组成，他们是来自中国大陆、中国***、日本、美国、韩国及欧洲等多个国家和地区的资深专家和各类专业人士，均为半导体行业的一流技术和管理人才，有着多年先进半导体集成电路及功率器件设计、研发与制造实战经验，团队成员已拥有1000余项海内外专利，其中包括很多半导体集成电路行业基础核心专利。
芯恩（青岛）集成电路项目于2018年3月30日签署框架协议;2018年12月13日，签署投资合作协议;2018年4月18日，项目公司完成注册，注册名称为芯恩（青岛）集成电路有限公司;2018年4月6日完成项目立项备案、4月25日完成首笔资金注入。
项目吸引了芯片设计、材料、设备、封测等产业链上下游企业来周边落户，目前与多家半导体公司签订战略合作协议。已与意法半导体公司签订技术转让协议以及投资协议，上下游协同发展产业集群态势开始形成。
中国***及大陆的芯片设计公司已经签署持股同意书，成为芯恩的cidm合作伙伴。整合设计公司的芯片产品资源以及成功经验，将为中国集成电路发展和进步，提供战略渠道和经济生命共同体的基石。
目前，芯恩（青岛）集成电路项目已确定了特色功率芯片和高端微控制器技术路线。已规划12英寸厂从40纳米逻辑产品入手逐渐推进到28纳米的产品线，通过对前段工艺浸润式光刻工艺，自对准金属硅化物，嵌入式sige 源漏区工艺开发;后段工艺超低介电材料（ulk）层间介质层工艺整合，以及28纳米的高介电层金属闸级（hikmetal gate），完成器件性能的确认。
项目将开发12英寸40nm-28nm集成电路芯片产品工艺技术，除了意法半导体技术授权40nm的标准逻辑工艺以外，同时开发闪存embedded flash的尖端工艺，用以生产微处理器mcu芯片。还将开发8英寸180nm-110nm集成电路芯片产品工艺技术，包括数字模拟混合（bcd、dlp）、高端igbt等半导体功率器件，其中igbt的逆导型igbt （reverse-conducting igbt）的高端及超薄（小于50微米的硅片厚度）的工艺技术是中国首创。rc-igbt是将igbt单元和fwd（free wheeling diode）单元交替配置而成。
光掩膜版使用国内最先进14纳米技术。据了解，芯恩（青岛）集成电路项目正在建设特色型工艺的8英寸集成电路生产线一条，国内最先进数模混合工艺的40纳米12英寸集成电路生产线一条，国内最先进14纳米光掩膜版生产线一条，芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片32位mcu集成电路设计团队。
青岛国际集成电路产业园区则包括青岛国际半导体制造基地、青岛国际半导体创新中心两个片区，拟打造集生产、生活、生态于一体的国际高端产城融合芯片园区。其中制造基地包括集成电路制造工厂、光掩模片厂、空白掩模基板厂、半导体设备及修理厂、光刻胶厂、碳化硅/氮化镓生产厂、封测厂等内容;创新中心包括半导体设计产业园、微纳技术研究院、“双创”基地、国际社区、国际学校等内容。
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芯恩（青岛）集成电路项目位于青岛国际经济合作区，一、二期总投资约188亿元，其中一期总投资约81亿元，占地约373亩，总建筑面积约35万平方米，主要从事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产，满产后可实现年均产值约46.1亿元，净利润约9.7亿元。
该项目创新性地提出了cidm商业模式。c代表了commune或communal，就是共有式的共享，即由半导体集成电路设计企业、封测企业、原材料供应企业、终端产品需求企业、设备制造企业共同联合投资打造一个集成电路制造企业，实现产业链上下游多环节、多领域企业协同、一致、联合生产，企业产品互补、分担投资、共享资源、共担分险，大大增强了产业内部协同创新和制造的能力。
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据了解，该项目由张汝京博士领衔的中国顶级微纳电子研发制造近50人的核心团队组成，他们是来自中国大陆、中国***、日本、美国、韩国及欧洲等多个国家和地区的资深专家和各类专业人士，均为半导体行业的一流技术和管理人才，有着多年先进半导体集成电路及功率器件设计、研发与制造实战经验，团队成员已拥有1000余项海内外专利，其中包括很多半导体集成电路行业基础核心专利。
芯恩（青岛）集成电路项目于2018年3月30日签署框架协议;2018年12月13日，签署投资合作协议;2018年4月18日，项目公司完成注册，注册名称为芯恩（青岛）集成电路有限公司;2018年4月6日完成项目立项备案、4月25日完成首笔资金注入。
项目吸引了芯片设计、材料、设备、封测等产业链上下游企业来周边落户，目前与多家半导体公司签订战略合作协议。已与意法半导体公司签订技术转让协议以及投资协议，上下游协同发展产业集群态势开始形成。
中国***及大陆的芯片设计公司已经签署持股同意书，成为芯恩的cidm合作伙伴。整合设计公司的芯片产品资源以及成功经验，将为中国集成电路发展和进步，提供战略渠道和经济生命共同体的基石。
目前，芯恩（青岛）集成电路项目已确定了特色功率芯片和高端微控制器技术路线。已规划12英寸厂从40纳米逻辑产品入手逐渐推进到28纳米的产品线，通过对前段工艺浸润式光刻工艺，自对准金属硅化物，嵌入式sige 源漏区工艺开发;后段工艺超低介电材料（ulk）层间介质层工艺整合，以及28纳米的高介电层金属闸级（hikmetal gate），完成器件性能的确认。
项目将开发12英寸40nm-28nm集成电路芯片产品工艺技术，除了意法半导体技术授权40nm的标准逻辑工艺以外，同时开发闪存embedded flash的尖端工艺，用以生产微处理器mcu芯片。还将开发8英寸180nm-110nm集成电路芯片产品工艺技术，包括数字模拟混合（bcd、dlp）、高端igbt等半导体功率器件，其中igbt的逆导型igbt （reverse-conducting igbt）的高端及超薄（小于50微米的硅片厚度）的工艺技术是中国首创。rc-igbt是将igbt单元和fwd（free wheeling diode）单元交替配置而成。
光掩膜版使用国内最先进14纳米技术。据了解，芯恩（青岛）集成电路项目正在建设特色型工艺的8英寸集成电路生产线一条，国内最先进数模混合工艺的40纳米12英寸集成电路生产线一条，国内最先进14纳米光掩膜版生产线一条，芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片32位mcu集成电路设计团队。
青岛国际集成电路产业园区则包括青岛国际半导体制造基地、青岛国际半导体创新中心两个片区，拟打造集生产、生活、生态于一体的国际高端产城融合芯片园区。其中制造基地包括集成电路制造工厂、光掩模片厂、空白掩模基板厂、半导体设备及修理厂、光刻胶厂、碳化硅/氮化镓生产厂、封测厂等内容;创新中心包括半导体设计产业园、微纳技术研究院、“双创”基地、国际社区、国际学校等内容。
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