英飞凌推出Sixpack三相桥碳化硅产品系列
新一代碳化硅模块采用增强型coolsic™ mosfet（m1h），首发型号为easypack™和easydual™封装。
coolsic技术取得的最新进展，m1h芯片的栅极驱动电压窗口明显增大，推荐的vgs（on）为15-18v，vgs（off）为0-5v，最大栅极电压扩展至+23v和-10v。从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。vgs（th）稳定性的提高，大大减少了动态因素引起的漂移。
此外，允许该器件在175°c以下运行，以满足各种应用的过载条件。器件的基本理念没有改变，芯片的布局和尺寸没有改变。
第一批推出的型号包括sixpack三相桥，三电平npc2和半桥拓扑产品，封装分别采用easy 1b， 2b和3b。有了这第一个全碳化硅的coosic™ easydual™ 3b功率模块，英飞凌的工业级碳化硅产品系列是市场上最广的。
产品特点
easy1b、2b和3b模块封装
1200v coolsic™ mosfet，具有增强型沟槽栅技术
扩大了推荐的栅极驱动电压窗口，+15.。.+18v和0.。。-5v
扩展的最大栅极-源极电压为+23v和-10v
过载条件下的最高工作结温tvjop高达175°c
sixpack三相桥、电平或半桥拓扑
pressfit引脚
预涂热界面材料（easy 3b）
应用价值
市场上最广工业碳化硅模块产品系列
与标准coolsic™ m1芯片相比，rdson降低了12%
减少了动态因素引起的漂移
应用领域
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