DC/DC稳压器元件的传导损耗计算

欢迎回到dc/dc变换器数据表博客系列。在本系列最后一期文章中,我将讨论dc/dc稳压器元件的传导损耗。
传导损耗是由设备寄生电阻阻碍直流电流在dc/dc变换器中的传导产生的。传导损耗与占空比有直接关系。当电流较高一侧的mosfet打开后,负载电流就会从其中通过。漏源通道电阻(rdson)产生的功率耗散可以用公式1表示:
其中d = = 占空比
对于lm2673这样的非同步设备,在mosfet关闭时,二极管被正向偏置。在此期间,电感电流通过输出电容、负载和正向偏置二极管。负载电流流过二极管产生的功率耗散可以用公式2表示:
其中vf是选定二极管的正向电压降。
除了集成mosfet与环流二极管中的传导损耗,电感器中也有传导损耗,因为每一个电感器都有有限的直流电阻(dcr),即线圈中导线的电阻。公式3表示电感器中的功率耗散:
传导损耗取决于负载电流。负载增大时,mosfet中的传导损耗会增加,而且是主要损耗因素。传导损耗加上开关、驱动和低压差线性稳压器(ldo)损耗会产生很多的热量,增加集成电路(ic)的结温。增加的结温可以用公式4表示:
其中ictj是ic的结温,ta是环境温度,θja是ic到空气的热阻,icpd是ic中总功率耗散。
mosfet的rdson通常有一个温度系数(rdsontco)。当ic的结温升高时,rdson会在温度系数的基础上超出额定值。数据表可能不含有这一参数,而ti的webench® power designer软件可以提供这一信息,用以计算设计效率,让计算结果更精确。公式5可以根据结温调整rdson:
其中rdsonnom是 rdson的额定值,可以在数据表中找到。
rdson的增加取决于设备的散热性能和结温。不正确的散热可以导致rdson的大幅增加,引起最大负载效率的大幅下降。当ic的连接焊盘(dap)与ic板上的焊接不正确时,就会出现上述情况。
计算损耗是一个迭代过程。在每一次迭代计算ic功率损耗时,都需要评估结温和相应的rdson,以得到精确的效率结果。webench power designer能很好的处理这一过程;还能显示被动元件损耗的计算结果。了解这些损耗是非常重要的,因为这可以帮助选择正确的元件和dc/dc稳压器,以保持良好的效率。现在,总传导损耗可以用公式6表示:
有了上述所有损耗,公式7对其进行加总得到总损耗:
公式8是得到的dc/dc稳压器设计效率:
图1是lm2673在不同输入电压时的负载电流曲线对应的整体效率。可以注意到负载电流低时,效率会变差;从文章的第1和第2部分可以知道,这是开关损耗以及驱动与ldo的损耗造成的。还需注意在最大负载电流时,输入电压 (vin)越高效率越低,这是因为电压越高开关损耗就越高。负载电流在1a以上时,低vin效率会相对较高,因为开关损耗降低。
图1:lm2673效率
至此,我的关于数据表中效率的三篇博客文章就全部结束了。现在,你应当能够理解dc/dc稳压器设计中不同元件的损耗。根据你的应用需求,你现在可以清楚地确定何时选择dc/dc稳压器及其开关频率、散热电路板空间,以及何时选择二极管和电感器等被动元件。选择一个易电源dc/dc稳压器,在webench power designer中开始进行设计吧。
其他信息:
? 了解更多可调节电流限制lm2673易电源3a降压稳压器。
? 阅读《dc/dc变换器数据表——解读系统效率》。

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