DC-DC降压没输出的原因
dc-dc降压电路应用比较广，好多线路设计都有用到。我们这里遇到了一个dc-dc没有输出的问题，现在拿出来分析下。
事因是有客户反馈说系统有上电不开机的情况，特别是第一次上电不开机出现的概率较多。初步检查到是dc-dc降压没输出的原因。
先来看下dc-dc应用电路，如图
电路描述：当系统上电时，主控的pwr_en会输出一个3.3v的电压，来开启dc-dc这颗降压芯片，使其输出相应电压。pwr电源在锂电池供电时为4.2v，在usb供电时为4.9v。此电路设置的输出为3.3v。
dc-dc芯片不开启的原因是en脚将pwr_en的电压拉死了，用示波器量得会出现如下2个现象：
一是pwr_en的整体电压拉得很低，持续不到50毫秒就拉死了
二是pwr_en的电压未被拉低，但持续很短的时间就拉死了
断开r8这个电阻再来测量，pwr_en输出是正常的，这里就可以证明主控芯片是没问题的，问题就是由dc-dc的en脚电路部分引起的。
解决方法是：将r8的阻值增大到100k，经测试到目前发文章为止未测到不开机的问题。
问题可以说是解决了，但还是会存在疑问：根本原因是什么呢？是rc电路的问题？还是dc-dc芯片en脚内部设计的问题？或者是dc-dc芯片质量问题？
原理是什么样的呢？下面结合实际简单验证下：
1、怀疑芯片的问题，更换一个新的芯片测试同样会出现，更换另一个型号的芯片也一样会出现。两种芯片的内部架构如下图
这里可以确定芯片质量没问题，这里可不可以得出就这个架构的芯片就会存在这样的问题呢？因为资源有限，其它品牌的芯片未拿来验证，后续选择这种架构的芯片时还需注意这个问题。
2、怀疑c16电容的问题，解释为电容充电瞬间达到了它的耐压值，瞬间高压使得dc-dc芯片的en脚内部被击穿导致对地短路而将pwr_en拉死。后面查资料及实际测量得出该解释是错误的，电容瞬间的电压不会高于3.3v。
另外怀疑是不是c16电容瞬间短路引起的，已知电容的需压值为6.3v，实验如下：
如图搭建一个电路，反复开关s1，若电容短路，则led就会熄灭，将vcc的电压调高再来测试，并未发现电容短路导致led灯熄灭。
3、还是怀疑c16充电引起的，解释为电容充电瞬间电流较大，超出了dc-dc的en脚耐流，导致en脚内部被击穿而将电压拉死。为什么电阻改成100k后就没问题呢？
可以从这图波形反映出来，蓝色线为10k时的上电，白色线为100k时的上电，图中蓝线上电快，白线上电慢，根据i=c*dv/dt可以得出10k时的瞬间电流大，所以更具风险。
也可以解释为什么第一次上电出现的概率大，因为开始时电容还处于完全放电状态。
综上，可以判断出en处的电流对dc-dc芯片内部的影响，使得dc-dc芯片内部en电路出现对地锁死的情况，由于供应商对这引脚内部电路未做开放，所以不清楚其内部具体如何。
到此就分析完了，解决方法是有效的，因能力有限，可能分析方法还有很大不足的地方，欢迎读者指正。同时也希望能为读者抛砖引玉，发散自己的思维，找到更合理的分析更有效的方法。
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1、怀疑芯片的问题，更换一个新的芯片测试同样会出现，更换另一个型号的芯片也一样会出现。两种芯片的内部架构如下图
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2、怀疑c16电容的问题，解释为电容充电瞬间达到了它的耐压值，瞬间高压使得dc-dc芯片的en脚内部被击穿导致对地短路而将pwr_en拉死。后面查资料及实际测量得出该解释是错误的，电容瞬间的电压不会高于3.3v。
另外怀疑是不是c16电容瞬间短路引起的，已知电容的需压值为6.3v，实验如下：
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可以从这图波形反映出来，蓝色线为10k时的上电，白色线为100k时的上电，图中蓝线上电快，白线上电慢，根据i=c*dv/dt可以得出10k时的瞬间电流大，所以更具风险。
也可以解释为什么第一次上电出现的概率大，因为开始时电容还处于完全放电状态。
综上，可以判断出en处的电流对dc-dc芯片内部的影响，使得dc-dc芯片内部en电路出现对地锁死的情况，由于供应商对这引脚内部电路未做开放，所以不清楚其内部具体如何。
到此就分析完了，解决方法是有效的，因能力有限，可能分析方法还有很大不足的地方，欢迎读者指正。同时也希望能为读者抛砖引玉，发散自己的思维，找到更合理的分析更有效的方法。
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