IDT宣布推出低频段 RF 混频器
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 idt® 公司 （integrated device technology， inc.; nasdaq： idti） 宣布，已新推出低频段 rf 混频器，该混频器可通过在拥挤频谱中为 4g lte、3g 和 2g 系统减少互调失真增强用户的移动连接体验。idt 新的 zero-distortion™ 基站收发信机（bts）多样混频器可通过减少功耗改进系统三阶互调失真（im3），针对移动通信（egsm）频率范围涵盖 450 mhz、长期演进（lte）和扩展的全球系统。
idt f1102 是一款低功耗、低失真的双通道 400-1000 mhz rf 变频到if 混频器，与标准混频器相比，可改进 im3 超过 15 db，同时减少功耗超过 40%。这些性能品质可为改进服务品质（qos）实现更好的信噪比（snr），同时减少散热，从而在密集的射频卡密封中降低散热要求（5v 时 1.15w，高达 +43 dbm ip3o）。f1102 可提供无与伦比的性能与效率，是多载波、多模式4g lte 和 egsm bts 系统的理想选择。
idt 公司副总裁兼通信部总经理 tom sparkman 表示：“在发现我们高频段和低频段混频器优异的性能之后，客户开始需要这款产品。我们的零失真技术可帮助客户增加射频卡的前端增益以改进 snr，同时在拥挤的 egsm 和 u.s. 蜂窝频段中减少失真。凭借我们广泛的高性能、低功耗可变增益放大器（vga）产品组合，业界领先的计时、串行交换、数据转换和数据压缩产品，idt 成为通信信号链解决方案的一站式提供商。”
f1102 与 idt 其他混频器产品系列一起，可在上电与下电模式下提供快速的建立时间和恒定的本机振荡器（lo）输入阻抗。这允许客户在时分双工（tdd）接收机插槽间关闭混频器，从而进一步降低功耗。此外，idtf1102 可支持高本振或低本振注入方式，与市场上现有器件管脚相容，从而提供令人信服的升级选择。
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