国产存储技术发展迅速实现2.0突破
“缺芯少屏”之痛，知痛而痛定思痛，方能化悲痛为力量继续负重前行。“缺芯少屏”更为严重的是“缺芯”，无论是处理器芯片，还是存储芯片，都是我们现在最为尴尬的问题。
这次咱们说存储芯片技术。长时间以来，大家都觉得我们的电脑手机最为关键的设备“处理器芯片”依赖外国厂商，其实在存储芯片上我们照样是依赖进口，而且说的严重一点，我们所使用的u盘都没有属于我们自家的，大多数都是进口人家的存储颗粒而我们封装的！
更不要说服务器、硬盘等方面的存储需求上了，一句话，进口的！
而为了突破这一尴尬的局面，我们的有志厂商也在不遗余力的拼搏在奋斗的第一线，而截止到目前，我们也渐渐的获得了一定的突破，其中，尤以长存存储获得的进步值得大家关注。
长江存储在xtacking的突破，为解决3d nand的io速度，读写速度，开发和生产时间等问题提供了非常可靠而可行的解决方案，举例来说，现在世界上最快的3d nand的i/o速度目标值是1.4gbps，而现在我们所使用的存储读写速度上，一般是1.0gbps，甚至还有很多达不到这个速度，而长江存在的xtacking技术，则可以将i/o的速度提升3倍，达到3.0gbps，基本上已经达到了ddr4的性能。
值得一提的是，xtacking技术更加有利于晶圆加工工艺的选择，比如，可以让两块分别负责计算、存储的晶圆实现无缝电路结合，实现高速数据传输，而且成本上做到经济可控的性价比。
而现在的xtacking技术已经发展到了2.0版本，在技术性能上将有更大的提升，这对于国产存储技术的发展，起到很大的推动作用。
看国产存储、芯片技术的发展，其实以大众来说，并没有指望国产企业能够做到一天就完全拥有自己的国产技术，站在科技风景线小编的角度来说，关键就是在于有自己节奏的技术突破计划。比如在哪些方面先做一些努力，接下来再一步一步的攻关。或许我们的进度很小，但是只要有慢慢的进步，慢慢的突破，终究我们会把自己的存储技术发展起来的。
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