资料显示，DRAM存储器强力推动的导入将推动晶圆产能高于平均水准
根据市场研究公司ic insights的资料，新的半导体制造产线——特别是dram存储器的导入，预计将推动2018年和2019年的晶圆总产能高于平均水准。
ic insights最新的全球晶圆产能报告显示，2018年和2019年晶圆产能预计将成长8%，较2018年至2019年间晶圆产业的年平均成长更高约5%。
去年由于dram和nand闪存库存短缺导致价格上涨，这使得半导体产业的销售额首次突破了4，000亿美元。据世界半导体贸易统计组织（wsts）统计，去年存储器营收成长了61.5%，其中，dram销售额增加76.8%，nand销售额则增加了47.5%。
ic insights表示，韩国三星电子（samsung electronics）和海力士（sk hynix）都计划在2018、2019年提高dram产能。除了美光（micron）、英特尔（intel）、东芝（toshiba）和中国长江存储科技（yangtze river storage technology），这些存储器厂商也计画在未来几年大幅提升3d nand闪存容量。
根据ic insights的资料，从2017年到2022年，晶圆产能预计每年将成长6%。
ic insights表示，如果2019年规划的新产能按计划上线，该年度所增加的半导体制造产能将达到相当于2007年创纪录的1，800万片晶圆。ic insights认为，这一预估数字是在假设中国的nand产能将较预期更慢的前提下统计而来的。（编按：ic insight先前曾估计中国在自行研发的3d nand量产之前会先遇到大规模的专利诉讼问题，以至量产时间延后。
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