基于驱动IC控制的MOS管开关电路讲解
一.前言 如何驱动mos？很多人的第一反应就是从单片机io口直接输出5v来驱动mos的开关，这样可以吗？当然是可以的，那为什么有的电路用mcu直驱，有的要用专门的驱动ic呢？这牵涉到mos管开关速度，工作电流，热阻，导通电阻以及mos管工作电压等的要求。特别是mos管的gs极有一个大的寄生电容，我们必须提供足够的驱动电流来调整mos的开关时间。我们在设计mos管驱动电路时，要满足的首要条件就是vgs电压大于vth开启电压，一般来说source极是接地的，所以我们一般关注的是gate电压，但是在一些特殊的应用场合中，比如h桥驱动电机时，这个时候mos管的s极可能并不直接接地，那么我们应该如何控制mos管的开关呢？这时候就需要用到专门的mos驱动ic了。
二.实例分析 专门的驱动ic为了实现快速开关mos，一般内部会集成自举电路，从而可以提供高于电源电压的驱动电压来快速开关mos,以dgd0506为例，虽然该ic的供电电源电压是15v，但是它却能提供高达50v的驱动电压输出。vb和vs引脚之间的电容就是自举电容，是完成升压的核心器件。从下面的电路我们可以看出来，驱动ic的vs引脚直接接到了mos的source极，这样就解决了没有gnd作为source极电压参考的问题。
另外，如果我们用分立器件搭建半桥驱动电路来驱动电机时，一旦软件出现bug，两个mos同时导通，相当于vcc和gnd直连了，那么两个mos上会出现很大的短路电流，可能会烧毁mos，集成mos内部有死去时间控制，能够从硬件上避免两个mos同时导通的情况出现，简单来说就是我们在开启一个mos时，会硬件延时，而这段硬件延时时间能充分保证另一个mos已经关闭了，我们可以通过调整dt引脚上连接的电阻来调整死区保护时间。
三.总结 总结来说，使用ic驱动mos减少了外围分立器件，并且能大大扩展驱动电压以及应用场景，当然，这也会导致成本的上升，所以还是要基于需求来搭建驱动电路，如果你得mos管开关电路没有开关时间的要求，并且也不是驱动h桥这种电路，只是用于简单的负载开关，这个时候考虑一下电流，mos管的温升，如果都比较合理的话，那用mcu直驱也是可以的。
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另外，如果我们用分立器件搭建半桥驱动电路来驱动电机时，一旦软件出现bug，两个mos同时导通，相当于vcc和gnd直连了，那么两个mos上会出现很大的短路电流，可能会烧毁mos，集成mos内部有死去时间控制，能够从硬件上避免两个mos同时导通的情况出现，简单来说就是我们在开启一个mos时，会硬件延时，而这段硬件延时时间能充分保证另一个mos已经关闭了，我们可以通过调整dt引脚上连接的电阻来调整死区保护时间。
三.总结 总结来说，使用ic驱动mos减少了外围分立器件，并且能大大扩展驱动电压以及应用场景，当然，这也会导致成本的上升，所以还是要基于需求来搭建驱动电路，如果你得mos管开关电路没有开关时间的要求，并且也不是驱动h桥这种电路，只是用于简单的负载开关，这个时候考虑一下电流，mos管的温升，如果都比较合理的话，那用mcu直驱也是可以的。
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