NAND闪存内部结构解析
nand闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，eeprom，nor flash, nand flash，emmc, ufs。
闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(mosfet)，里面有一个浮置栅极(floating gate)，它便是真正存储数据的单元。请看下图：
数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制栅极(control gate)所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值vth来表示。
1.对于nand闪存的写入(编程)，就是控制control gate去充电(对control gate施加电压)，使得浮置栅极存储的电荷够多，超过阈值vth，就表示0。
2.对于nand flash的擦除(erase)，就是对浮置栅极放电，低于阈值vth，就表示1。
nand型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。(见下图)而这个绝缘层会随着擦写而耗损。而随着制程的提升，fg层容纳的电子会变少，而绝缘层也会变的越来越薄，所以耗损能力也会相应降低，这就是为什么新制程的颗粒寿命反而越来越短的原因。以intel为例，40nm的mlc闪存寿命大约为5000次，而25nm仅为3000次，到了19nm只剩下2000，而部分厂商的16nmmlc闪存则只有1500次的寿命。
图是一个8gb 50nm的slc颗粒内部架构，每个page有33,792个存储单元，每个存储单元代表1bit(slc)，所以每个page容量为4096byte + 128byte(sa区)。每个block由64个page组成，所以每个block容量为262,114byte + 8192byte (sa区)。page是nand flash上最小的读取/写入(编程)单位(一个page上的单元共享一根字符线word line)，block是nand flash上最小的擦除单位。不同厂牌不同型号颗粒有不同的page和block容量。
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