常见V开头的符号你懂么
来源：罗姆半导体社区
在电子电路图中经常有许多v开头的符号，例如vcc、vdd、vss、vee等，哪么你都知道意思么？下面我们来学习下：
在电源中有直流电源和交流电源，直流电源一般都电压比较低，不会太高，但是交流电却能够达到至命的程度。在直流电源中一般vcc称为接入电源电压，就是输入电压，一般是12v、5v、3.3v，vdd指的是内部工作电压，与输入电压不是一样的概念。vss是表示公共连接的地方，一般是公共接地电压。
在器件中这些符号则有另一种意思，vcc和vdd是器件的电源端。vcc是双极器件的正，vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为npn晶体管的集电极c，和pmosornmos场效应管的漏极d。同样你可在电路图中看见vee和vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅npn所以vcc通常是正。如果用pnp结构vcc就为负了。选用芯片时一定要看清电气参数。
vcc来源于集电极电源电压,collectorvoltage,一般用于双极型晶体管,pnp管时为负电源电压,有时也标成-vcc,npn管时为正电压。
vdd来源于漏极电源电压,drainvoltage,用于mos晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用pmos晶体管,所以在cmos电路中vdd经常接在pmos管的源极上。
vss源极电源电压,在cmos电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地。
vee发射极电源电压,emittervoltage,一般用于ecl电路的负电源电压。
vbb基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路。
总结下一般来说vcc=模拟电源,vdd=数字电源,vss=数字地,vee=负电源，有些ic既有vdd引脚又有vcc引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。对于数字电路来说，vcc是电路的供电电压,vdd是芯片的工作电压(通常vcc>vdd)，vss是接地点。在场效应管(或coms器件)中，vdd为漏极，vss为源极，vdd和vss指的是元件引脚，而不表示供电电压。有些ic 同时有vcc和vdd， 这种器件带有电压转换功能。 在“场效应”即coms元件中，vdd乃cmos的漏极引脚，vss乃cmos的源极引脚，这是元件引脚符号，它没有“vcc”的名称，你的问题包含3个符号，vcc / vdd /vss， 这显然是电路符号。
在平常的生活中我们也要注意下接地的问题，控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路应就近多点接地，低频电路应一点接地。在低频电路中，布线和元件间的电感并不是什么大问题，然而接地形成的环路的干扰影响很大，因此，常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频，因为高频时，地线上具有电感因而增加了地线阻抗，同时各地线之间又产生电感耦合。一般来说，频率在1mhz以下,可用一点接地;高于10mhz时，采用多点接地;在1～10mhz之间可用一点接地，也可用多点接地。
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在器件中这些符号则有另一种意思，vcc和vdd是器件的电源端。vcc是双极器件的正，vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为npn晶体管的集电极c，和pmosornmos场效应管的漏极d。同样你可在电路图中看见vee和vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅npn所以vcc通常是正。如果用pnp结构vcc就为负了。选用芯片时一定要看清电气参数。
vcc来源于集电极电源电压,collectorvoltage,一般用于双极型晶体管,pnp管时为负电源电压,有时也标成-vcc,npn管时为正电压。
vdd来源于漏极电源电压,drainvoltage,用于mos晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用pmos晶体管,所以在cmos电路中vdd经常接在pmos管的源极上。
vss源极电源电压,在cmos电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地。
vee发射极电源电压,emittervoltage,一般用于ecl电路的负电源电压。
vbb基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路。
总结下一般来说vcc=模拟电源,vdd=数字电源,vss=数字地,vee=负电源，有些ic既有vdd引脚又有vcc引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。对于数字电路来说，vcc是电路的供电电压,vdd是芯片的工作电压(通常vcc>vdd)，vss是接地点。在场效应管(或coms器件)中，vdd为漏极，vss为源极，vdd和vss指的是元件引脚，而不表示供电电压。有些ic 同时有vcc和vdd， 这种器件带有电压转换功能。 在“场效应”即coms元件中，vdd乃cmos的漏极引脚，vss乃cmos的源极引脚，这是元件引脚符号，它没有“vcc”的名称，你的问题包含3个符号，vcc / vdd /vss， 这显然是电路符号。
在平常的生活中我们也要注意下接地的问题，控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路应就近多点接地，低频电路应一点接地。在低频电路中，布线和元件间的电感并不是什么大问题，然而接地形成的环路的干扰影响很大，因此，常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频，因为高频时，地线上具有电感因而增加了地线阻抗，同时各地线之间又产生电感耦合。一般来说，频率在1mhz以下,可用一点接地;高于10mhz时，采用多点接地;在1～10mhz之间可用一点接地，也可用多点接地。
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