鳍式场效应晶体管FinFET
mosfet是金属－氧化物－半导体场效晶体管（metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet）
在mosfet中，门极长度（gate length）大约10nm，是所有构造中最细小也最难制作的，因此我们 常常以门极长度来代表半导体制程的进步程度 ，这就是所谓的“制程线宽”。门极长度会随制程技术的进步而变小，从早期的180nm，130 nm，进步到90nm、65nm、45nm、22nm，到目前最新制程10nm。当门极长度愈小，则整个mosfet就愈小，而同样含有数十亿个mosfet单元的芯片就愈小，封装以后的集成电路就愈小，最后的产品也就愈小巧，因此 门极长度是半导体制程进步的关键 。
finfet3d结构[1]
鳍式场效应晶体管 finfet 的概念最初源于双栅mos 晶体管的构想，通过增加栅极与沟道的接触面积来增强对导电沟道的控制。finfet 器件结构中，衬底上的垂直体硅薄翅片类似于鱼鳍（fin），栅极从三面围绕沟道，从而能够有效进行控制。沟道宽度 w 与 fin 的高度 hfin 和宽度 wfin有关，但主要由 fin 的高度决定。增加 fin 的高度可增大 finfet 器件的驱动电流，还可以采用多个 fin 并联方式来增加器件的驱动电流 。
沟道的完美宽度由下式给出 ：
finfet 的沟道控制[2]
**栅极(gateelectrode) **gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。
由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
**源极(source) **source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。
源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而fet仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
**漏极(drain) **drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
漏极在两个高掺杂的p区中间，夹着一层低掺杂的n区（n区一般做得很薄），形成了两个pn结。在n区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个p区上也做上欧姆电极，并把这两p区连起来，就构成了一个场效应管。
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由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
**源极(source) **source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。
源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而fet仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
**漏极(drain) **drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
漏极在两个高掺杂的p区中间，夹着一层低掺杂的n区（n区一般做得很薄），形成了两个pn结。在n区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个p区上也做上欧姆电极，并把这两p区连起来，就构成了一个场效应管。
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