如何设计SD/TF卡ESD静电放电防护电路图？
sd/tf卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，具有体积小、数据传输速度快、可热插拔等特性，广泛应用于便携式装置中，如数码相机、手机、平板电脑、多媒体播放器、汽车电子、无人机等产品中。然而，由于sd/tf卡需要经常性热插拔、集成度非常高，比较脆弱，很容易受到esd静电放电的威胁和破坏导致数据缺失。为此，为了实现sd/tf卡数据高传输率并避免数据缺失的现象，sd/tf卡静电浪涌保护不容忽视。那么，关键问题了，如何设计sd/tf卡静电浪涌保护方案呢？如何选用tvs/esd二极管为sd/tf卡静电保护护航呢？接下来，东沃电子技术针对sd/tf卡静电浪涌问题提出了解决方案。
东沃sd/tf卡静电浪涌保护方案图
东沃sd/tf卡静电浪涌保护方案说明
从方案图中可知，sd/tf卡静电浪涌保护选用集成多路并组合两个单路esd静电二极管，具有导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低等特点。在sd/tf卡时钟信号线上，东沃电子技术推荐选用两颗esd二极管dw05dtf-bl-s，工作电压5v、峰值脉冲电流4a、钳位电压低至5v、结电容低至0.9pf。sd/tf卡高速数据传输接口选用esd二极管dw05-4r-s，工作电压5v、峰值脉冲电流15a、钳位电压20v、结电容低至0.75pf，保证数据传输的可靠性和稳定性。在不影响数据传输的前提下，方案满足iec 61000-4-2 level 4静电放电防护需求，让后端的电路能够得到全面有效的防护，且做到低成本。
东沃sd/tf卡静电浪涌保护专用tvs/esd二极管参数
1）tvs/esd二极管dw05dtf-bl-s参数
查阅东沃电子“esd-dw05dtf-bl-s datasheet”产品规格书可知：
2）tvs/esd二极管dw05-4r-s参数
查阅东沃电子“esd-dw05-4r-s datasheet”产品规格书可知：
以上是东沃sd/tf卡静电浪涌保护经典方案，如有特殊需求，欢迎前来探讨。浪涌静电防护方案，找东沃电子，电路保护不迷路！方案中选用到的tvs/esd二极管dw05dtf-bl-s、dw05-4r-s，东沃电子已全面量产、品质稳定、高可靠性、交期迅速、厂家价格、免费样品、免费emc测试、免费选型，欢迎广大新老客户前来咨询！
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东沃sd/tf卡静电浪涌保护方案图
东沃sd/tf卡静电浪涌保护方案说明
从方案图中可知，sd/tf卡静电浪涌保护选用集成多路并组合两个单路esd静电二极管，具有导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低等特点。在sd/tf卡时钟信号线上，东沃电子技术推荐选用两颗esd二极管dw05dtf-bl-s，工作电压5v、峰值脉冲电流4a、钳位电压低至5v、结电容低至0.9pf。sd/tf卡高速数据传输接口选用esd二极管dw05-4r-s，工作电压5v、峰值脉冲电流15a、钳位电压20v、结电容低至0.75pf，保证数据传输的可靠性和稳定性。在不影响数据传输的前提下，方案满足iec 61000-4-2 level 4静电放电防护需求，让后端的电路能够得到全面有效的防护，且做到低成本。
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2）tvs/esd二极管dw05-4r-s参数
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