紫光国芯发布12纳米低功耗GDDR6存储控制器和物理接口IP
根据西安紫光国芯半导体的消息，紫光国芯在globalfoundries（格芯）举办的中国全球科技会议上正式发布了基于格芯12纳米低功耗工艺（gf 12lp）的gddr6存储控制器和物理接口ip。
官方表示，与已有的方案相比，新方案在芯片功耗、面积和成本等方面均有明显的提升，并能满足在面向人工智能（ai）和计算应用等热点领域不断增长的需求。
it之家了解到，西安紫光国芯的gddr6 mc/phy ip包括一个可配置的内存控制器（mc），其完全符合dfi3.1和amba axi4.0标准，并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的gddr6控制器以满足高性能应用的要求，如显卡，游戏机和ai计算等。该ip针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的gddr6物理接口（phy）提供了高达12gbps/13gbps/14gbps/16gbps的数据速率，同时兼容jedec250和dfi3.1标准。物理接口（phy）部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。与主流gddr6存储颗粒集成，经过流片测试验证，该ip的性能在12gbps/14gbps/16gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16gbps时，平均每个dq的最大功耗小于4mw/gbps。
目前，紫光国芯的gddr6 mc/phy ip已经在格芯的12lp工艺平台上架。
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