176层3D NAND预计明年4月量产
在半导体行业的存储芯片细分领域，最常被提到的是nand flash、nor flash、dram，其中nand flash约占存储细分领域的44%。
今年8月，ic insights在一份报告中预测到，nand 今年有望成为第二大ic市场，销售额达560亿美元，增长27%，在33种ic产品类别中，增长最为强劲。
nand flash在智能手机中的emmc、ufs，以及消费级ssd和企业级ssd中都会用到，应用领域主要包括数据中心、消费电子、移动通信、汽车及工业领域。
近几年，nand flash在3d 堆叠和qlc技术上发展迅速，当前100层+3d nand和qlc被认为是最新技术，不少厂商已经突破100层+，并且正在向更高层数推进，也有很多厂商已经推出几代qlc nand，并在ssd中规模应用。
176层3d nand预计明年4月量产
从全球范围来看，nand flash厂商主要有三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、sk海力士，以及中国台湾地区的旺宏，以及国内的长江存储、兆易创新、东芯半导体、北京君正（收购北京矽成）、南京扬贺扬微电子。
目前三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、sk海力士、长江存储已经推出或量产3d nand产品。128层是目前已经量产的最高层数，三星、sk海力士已经实现量产。
美光公司在今年二季度财报电话会议中表示，公司即将开始基于全新 rg 架构的第四代 3d nand 存储器（128层）的量产工作，按计划将于2020 q3 开始生产，q4 向客户发货。
值得关注的是，国产领先nand flash厂商长江存储也已于今年4月份发布128层3d nand产品，并将于今年年底或明年年初量产128层3d nand。
与2d nand 相比，3d nand 能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本，因此提高3d nand 层数，产品的容量和性能将更高，这也是为什么众多厂商都在积极研发和推出更高层数的3d nand产品。
除了已经量产的128层3d nand，英特尔预计将在今年年底实现更高层数144层产品的量产，另外三星正在开发176层第七代v-nand，计划明年4月实现量产，sk 海力士也正在进行176层3d nand的研发。
qlc ssd未来市场增量将非常可观
nand可分为slc、mlc、tlc、qlc，qlc是继slc、mlc、tlc之后3d nand的又一新技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。
图片来自网络
slc、mlc、tlc、qlc有哪些区别？如上图所示，slc（single-level cell）每个cell单元存储1bit信息，只有0、1两种电压变化，优点是寿命长、性能强，缺点是容量低、成本高。
mlc（multi-level cell）每个cell单元存储2bit信息，电压控制比slc复杂，有00,01,10,11四种变化，写入性能、可靠性降低，寿命较slc低。
tlc（trinary-level cell）每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比mlc增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，写入速度慢，寿命相对而言较mlc更低。
qlc（quad-level cell）每个cell单元存储4bit信息，电压有16种变化，其最大的优点是容量能增加33%，缺点是写入性能、寿命与tlc相比会进一步降低。
性能、寿命相比之下都较低，为什么厂商还是积极推出qlc产品，闪存和ssd领域知名市场研究公司forward insights创始人兼首席分析师gregory wong此前谈到，qlc降低了nand闪存单位字节（byte）的成本，更适合作大容量存储介质。随着主流消费类ssd容量迈入512gb及以上，qlc ssd未来市场增量将非常可观。
gregory认为，与传统hdd相比，qlc ssd更具性能优势。在企业级领域，qlc ssd将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于ai计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，qlc将率先在大容量u盘，闪存卡和ssd中普及。
目前已经有多家厂商陆续推出不同层数的3d qlc nand，当前在ssd中使用的基本上市96层的3d qlc nand，其中西部数据/铠侠已经推出112层3d qlc nand，预计2020下半年大规模生产，长江存储已经推出128层qlc nand，预计今年底或明年初量产。
英特尔最早于2017年推出了64 层 qlc nand，2019年该公司又推出96层qlc nand，预计今年年底推出的144层 3d nand也将采用qlc技术。英特尔已经将qlc大规模应用在ssd中，据报道，截至今年2月，英特尔大连工厂共生产了1000万块qlc ssd。
美光之前与英特尔共同研发qlc nand，并于2018年宣布64层3d qlc nand产品开始生产和出货，随后美光还发布了micron 5210 ion固态硬盘，是全球首款qlc nand ssd，相比tlc nand提供的位密度提高33％。2020年5月，美光推出了两款ssd，其中一款2210 ssd就采用了是96层 3d qlc nand。
三星2019年在自己研发的860 qvo固态硬盘，嵌入一颗容量高达1tb的v-nand qlc颗粒，2020年7月，三星发布了新款870 qvo ssd，采用其第二代 qlc 闪存，92层堆叠，可提供最高 560 mb/s 和 530 mb/s 的顺序读取和写入速度。
西部数据与铠侠合作于2017年研发了64层3d qlc，2018年中，西部数据推出新的96层，密度为1.33tb的3d qlc，2019年11月，该公司宣布其基于96层3d qlc颗粒的产品在2019年第三季度开始出货。2020年2月，西部数据宣布已经与合作伙伴铠侠成功研发出第五代3d nand技术bics5，采用112层堆叠，bics5架构主要基于tlc和qlc技术，将在2020年下半年大规模生产。
长江存储今年四月份首次推出qlc 3d nand，不过值得关注的是，长江存储推出的这款qlc 3d nand是128层的，是目前推出的qlc 3d nand产品中层数最高的产品，长江存储表示，该产品已在多家控制器厂商ssd等终端存储产品上通过验证，预计今年底或者明年初量产。
小结
近几年nand flash的价格波动也相当大，2019年上半年，因为市场需求低迷，消费类nand flash价格大跌30%以上，后来价格也是反复。
今年第一季度因为疫情原因，供货紧张，其价格涨幅超过30%，随后nand市场一直呈现下跌趋势，据trendforce最新预测，智能手机市场需求疲软，服务器需求没有复苏迹象，预计第四季度价格将会持续下降，季跌幅约为10%。
不过不管是从短期还是长期来看，更高层数和qlc技术带来的更大容量和更低成本，将更有助于厂商获得更多市场机会。
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今年8月，ic insights在一份报告中预测到，nand 今年有望成为第二大ic市场，销售额达560亿美元，增长27%，在33种ic产品类别中，增长最为强劲。
nand flash在智能手机中的emmc、ufs，以及消费级ssd和企业级ssd中都会用到，应用领域主要包括数据中心、消费电子、移动通信、汽车及工业领域。
近几年，nand flash在3d 堆叠和qlc技术上发展迅速，当前100层+3d nand和qlc被认为是最新技术，不少厂商已经突破100层+，并且正在向更高层数推进，也有很多厂商已经推出几代qlc nand，并在ssd中规模应用。
176层3d nand预计明年4月量产
从全球范围来看，nand flash厂商主要有三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、sk海力士，以及中国台湾地区的旺宏，以及国内的长江存储、兆易创新、东芯半导体、北京君正（收购北京矽成）、南京扬贺扬微电子。
目前三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、sk海力士、长江存储已经推出或量产3d nand产品。128层是目前已经量产的最高层数，三星、sk海力士已经实现量产。
美光公司在今年二季度财报电话会议中表示，公司即将开始基于全新 rg 架构的第四代 3d nand 存储器（128层）的量产工作，按计划将于2020 q3 开始生产，q4 向客户发货。
值得关注的是，国产领先nand flash厂商长江存储也已于今年4月份发布128层3d nand产品，并将于今年年底或明年年初量产128层3d nand。
与2d nand 相比，3d nand 能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本，因此提高3d nand 层数，产品的容量和性能将更高，这也是为什么众多厂商都在积极研发和推出更高层数的3d nand产品。
除了已经量产的128层3d nand，英特尔预计将在今年年底实现更高层数144层产品的量产，另外三星正在开发176层第七代v-nand，计划明年4月实现量产，sk 海力士也正在进行176层3d nand的研发。
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图片来自网络
slc、mlc、tlc、qlc有哪些区别？如上图所示，slc（single-level cell）每个cell单元存储1bit信息，只有0、1两种电压变化，优点是寿命长、性能强，缺点是容量低、成本高。
mlc（multi-level cell）每个cell单元存储2bit信息，电压控制比slc复杂，有00,01,10,11四种变化，写入性能、可靠性降低，寿命较slc低。
tlc（trinary-level cell）每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比mlc增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，写入速度慢，寿命相对而言较mlc更低。
qlc（quad-level cell）每个cell单元存储4bit信息，电压有16种变化，其最大的优点是容量能增加33%，缺点是写入性能、寿命与tlc相比会进一步降低。
性能、寿命相比之下都较低，为什么厂商还是积极推出qlc产品，闪存和ssd领域知名市场研究公司forward insights创始人兼首席分析师gregory wong此前谈到，qlc降低了nand闪存单位字节（byte）的成本，更适合作大容量存储介质。随着主流消费类ssd容量迈入512gb及以上，qlc ssd未来市场增量将非常可观。
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