新型存储器将有望卷动千亿美元的内存市场
（文章来源：cnbeta）
多年来，存储器制造商一直试图在单个封装中集成动态随机存储器（ram）和闪存（nand）的共同优势，但一直收效甚微。新型非易失性存储器，有望成为技术突破的一个关键。其具有类似于 ram 的运行速度、以及 nand 的断电非易失特性。能够瞬时打开、并从上次中断的位置恢复，为即时（instand-on）pc 的到来而铺平道路。
经常关注存储技术的朋友，可能或多或少地听说过几种可让 ram 和 ssd运行更快、更密集、更节能的新技术。
另有一些研究试图推动“内存中计算”的方法，从根本上消除了数据在处理器、内存等部件之间往返所导致的性能滞后。上述想法都基于如下事实，即将数据写入 dram，是一种快速且节能的方案。可一旦断电，数据的完整性也难以维持。此外系统必须不断刷新数据，导致效率不是很高。
另一方面，nand 是一种相对健壮的数据存储方式，只是写入和擦除的速度太慢，导致存储单元性能下降，难以取代现有的 dram 。
好消息是，英国兰开斯特大学的研究人员称，他们已经打造了一种新型的非易失性存储器 —— 速度可与 dram 媲美，写入能耗却仅为百分之一。这项技术被称作 uk iii-v 存储器，其基于 20nm 光刻工艺制造，写入时间仅为 5ns（与 dram 相当），且提供了类似闪存的简单读取特性。
更棒的是，这是一种非易失性存储，能够在断电时保持数据的完整性。截至目前，原型装置已能够通过 2.1v 的电压来擦除和编程数据。相比之下，典型 nand 单元需要施加 3v 的擦除电压。通过使用交替的 gasb（锑化镓）和inas（砷化铟）层，研究团队打造出了所谓的“双阱共振隧道结”，并达成了这一目标。
新型存储单元的工作方式与闪存类似，使用“浮栅”来存储“0”或“1”，但此处 inas 浮栅被不连续的 gasb 和 alsb 大导带所隔离。
简单来说，uk iii-v 存储器中使用的晶体管，具有更好的开关状态。它们被设计为利用两种材料来确保将信息存储特别长的一段时间。尽管没有披露读取操作所需的功耗等细节，但首席研究员 manus hayne 表示：在重复读取“1”的时候，新型存储器无需重建或不断刷新来确保数据的完整性。
当然，最让我们感兴趣的，莫过于即使在断电的情况下，uk iii-v 内存亦可保留数据、并在通电后瞬时返回上上次工作中断的位置。manus hayne 称，团队正在为新技术申请专利，未来有望搅动 1000 亿美元的 dram 和闪存市场。
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更棒的是，这是一种非易失性存储，能够在断电时保持数据的完整性。截至目前，原型装置已能够通过 2.1v 的电压来擦除和编程数据。相比之下，典型 nand 单元需要施加 3v 的擦除电压。通过使用交替的 gasb（锑化镓）和inas（砷化铟）层，研究团队打造出了所谓的“双阱共振隧道结”，并达成了这一目标。
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当然，最让我们感兴趣的，莫过于即使在断电的情况下，uk iii-v 内存亦可保留数据、并在通电后瞬时返回上上次工作中断的位置。manus hayne 称，团队正在为新技术申请专利，未来有望搅动 1000 亿美元的 dram 和闪存市场。
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