89c52是intel公司mcs-51系列单片机中基本的产品,它采用atmel公司可靠的cmos工艺技术制造的高性能8位单片机,属于标准的mcs-51的hcmos产品。
它结合了cmos的高速和高密度技术及cmos的低功耗特征,它基于标准的mcs-51单片机体系结构和指令系统,属于89c51增强型单片机版本,集成了时钟输出和向上或向下计数器等更多的功能,适合于类似马达控制等应用场合。
89c52内置8位中央处理单元、512字节内部数据存储器ram、8k片内程序存储器(rom)32个双向输入/输出(i/o)口、3个16位定时/计数器和5个两级中断结构,一个全双工串行通信口,片内时钟振荡电路。此外,89c52还可工作于低功耗模式,可通过两种软件选择空闲和掉电模式。在空闲模式下冻结cpu而ram定时器、串行口和中断系统维持其功能。掉电模式下,保存ram数据,时钟振荡停止,同时停止芯片内其它功能。89c52有pdip(40pin)和plcc(44pin)两种封装形式。
at89c52是一个低电压,高性能cmos 8位单片机,片内含8k bytes的可反复擦写的flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器(ram),器件采用atmel公司的高密度、非易失性存储技术生产,兼容标准mcs-51指令系统,片内置通用8位中央处理器和flash存储单元,at89c52单片机在电子行业中有着广泛的应用。
at89c52有40个引脚,32个外部双向输入/输出(i/o)端口,同时内含2个外中断口,3个16位可编程定时计数器,2个全双工串行通信口,2 个读写口线,at89c52可以按照常规方法进行编程,也可以在线编程。其将通用的微处理器和flash存储器结合在一起,特别是可反复擦写的 flash存储器可有效地降低开发成本。
at89c52有pdip、pqfp/tqfp及plcc等三种封装形式,以适应不同产品的需求。
1、兼容mcs51指令系统
2、8kb可反复擦写(大于1000次)flash rom;
3、32个双向i/o口;
4、256x8bit内部ram;
5、3个16位可编程定时/计数器中断;
6、时钟频率0-24mhz;
7、2个串行中断,可编程uart串行通道;
8、2个外部中断源,共6个中断源;
9、2个读写中断口线,3级加密位;
10、低功耗空闲和掉电模式,软件设置睡眠和唤醒功能;
11、有pdip、pqfp、tqfp及plcc等几种封装形式,以适应不同产品的需求。
at89c52为8 位通用微处理器,采用工业标
pdip封装的at89c52引脚图 准的c51内核,在内部功能及管脚排布上与通用的8xc52 相同,其主要用于会聚调整时的功能控制。功能包括对会聚主ic 内部寄存器、数据ram及外部接口等功能部件的初始化,会聚调整控制,会聚测试图控制,红外遥控信号ir的接收解码及与主板cpu通信等。主要管脚有:xtal1(19 脚)和xtal2(18 脚)为振荡器输入输出端口,外接12mhz 晶振。rst/vpd(9 脚)为复位输入端口,外接电阻电容组成的复位电路。vcc(40 脚)和vss(20 脚)为供电端口,分别接+5v电源的正负端。p0~p3 为可编程通用i/o 脚,其功能用途由软件定义,在本设计中,p0 端口(32~39 脚)被定义为n1 功能控制端口,分别与n1的相应功能管脚相连接,13 脚定义为ir输入端,10 脚和11脚定义为i2c总线控制端口,分别连接n1的sdas(18脚)和scls(19脚)端口,12 脚、27 脚及28 脚定义为握手信号功能端口,连接主板cpu 的相应功能端,用于当前制式的检测及会聚调整状态进入的控制功能。
p0 口
p0 口是一组8 位漏极开路型双向i/o 口, 也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的
方式驱动8 个ttl逻辑门电路,对端口p0 写“1”时,可作为高阻抗输入端用。
在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8 位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。
在flash编程时,p0 口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。
p1 口
p1 是一个带内部上拉电阻的8 位双向i/o 口, p1 的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个ttl 逻辑
门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉
电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(iil)。
与at89c51 不同之处是,p1.0 和p1.1 还可分别作为定时/计数器2 的外部计数输入(p1.0/t2)和输入(p1.1/t2ex),
参见表1。
flash 编程和程序校验期间,p1 接收低8 位地址。
表.p1.0和p1.1的第二功能
引脚号功能特性
p1.0t2,时钟输出
p1.1t2ex(定时/计数器2)
p2 口
p2 是一个带有内部上拉电阻的8 位双向i/o 口,p2 的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个ttl 逻辑
门电路。对端口p2 写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(iil)。
在访问外部程序存储器或16 位地数据存储器(例如执行movx @dptr 指令)时,p2 口送出高8 位地址数据。在访问8 位地址的外部数据存储器(如执行movx@ri 指令)时,p2 口输出p2锁存器的内容。
flash编程或校验时,p2亦接收高位地址和一些控制信号。
p3 口
p3 口是一组带有内部上拉电阻的8 位双向i/o 口。p3 口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个ttl 逻
辑门电路。对p3 口写入“1”时,它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时,被外部拉低的p3 口将用上拉电阻输出电流(iil)。
p3 口除了作为一般的i/o 口线外,更重要的用途是它的第二功能
p3 口还接收一些用于flash闪速存储器编程和程序校验的控制信号。
rst
复位输入。当振荡器工作时,rst引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
ale/prog
当访问外部程序存储器或数据存储器时,ale(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8 位字
节。一般情况下,ale 仍以时钟振荡频率的1/6 输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个ale 脉冲。
对flash存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(prog)。
如有必要,可通过对特殊功能寄存器(sfr)区中的8eh 单元的d0 位置位,可禁止ale 操作。该位置位后,只有一条
movx 和movc指令才能将ale 激活。此外,该引脚会被微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置ale 禁止位无效。
psen
程序储存允许(psen)输出是外部程序存储器的读选通信号,当at89c52 由外部程序存储器取指令(或数
据)时,每个机器周期两次psen 有效,即输出两个脉冲。在此期间,当访问外部数据存储器,将跳过两次psen信号。
ea/vpp
外部访问允许。欲使cpu 仅访问外部程序存储器(地址为0000h—ffffh),ea 端必须保持低电平(接
地)。需注意的是:如果加密位lb1 被编程,复位时内部会锁存ea端状态。
如ea端为高电平(接vcc端),cpu 则执行内部程序存储器中的指令。
flash存储器编程时,该引脚加上+12v 的编程允许电源vpp,当然这必须是该器件是使用12v编程电压vpp。
xtal1
振荡器反相放大器及内部时钟发生器的输入端。
xtal2
振荡器反相放大器的输出端。
数据存储
编辑
at89c52 有256 个字节的内部ram,80h-ffh 高128 个字节与特殊功能寄存器(sfr)地址是重叠的,也就是高128字节的ram 和特殊功能寄存器的地址是相同的,但物理上它们是分开的。
当一条指令访问7fh 以上的内部地址单元时,指令中使用的寻址方式是不同的,也即寻址方式决定是访问高128 字节ram 还是访问特殊功能寄存器。如果指令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器。
例如,下面的直接寻址指令访问特殊功能寄存器0a0h(即p2 口)地址单元。
mov 0a0h,#data
间接寻址指令访问高128 字节ram,例如,下面的间接寻址指令中,r0 的内容为0a0h,则访问数据字节地址为0a0h,而不是p2 口(0a0h)。
mov @r0,#data
堆栈操作也是间接寻址方式,所以,高128 位数据ram 亦可作为堆栈区使用。
·定时器0和定时器1:
at89c52的定时器0和定时器1 的工作方式与at89c51 相同。
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