国芯思辰 |混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1可用于DC-DC电源转换

dc-dc电源变换器将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压,这种技术被常应用于无轨电车,地铁列车,电动车的无级变速和控制,同时使上述控制获得加速平稳,快速响应的性能。
开关电源以其效率高、功率密度高而在电源领域中占主要地位,为了以更低的功耗获得更高的速度和更佳的性能,基本半导体推出的混合碳化硅分立器件将新型场截止igbt技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
混合碳化硅分立器件bgh75n120hf1是将传统的硅基igbt和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的igbt(硅基igbt与硅基快恢复二极管合封),使得igbt的开关损耗大幅降低。
这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结mosfet和高性能的碳化硅 mosfet之间,在某些场合性价比更优于超结mosfet和碳化硅mosfet,可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡,具有重要的应用价值,特别适用于对功率密度提升有需求。
基本半导体bgh75n120hf1在高频dc-dc电源转换器中的应用优势:
1、bgh75n120hf1输出电压1200v,连续直流电流为75a @tc=100°c。
2、bgh75n120hf1工作结温范围-40℃-150℃,存储温度-55℃-150℃。
3、bgh75n120hf1提供to-247-3封装,符合rohs标准。
4、bgh75n120hf1大幅降低了igbt的开关损耗,适用于对功率密度提升有需求和更性价比的电源应用场景。
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