浅谈GaN基准垂直肖特基功率二极管(SBD)的设计与制备
依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 v的gan基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（sfp-sbd：具有侧壁场板的gan基准垂直肖特基功率二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。
技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降低了台面边缘处的电势及电流密度［图1（b）和（c）］，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。
漏电流与反向电压的关系，sfp-sbd的击穿电压为420 v，而对比结构c-sbd（没有侧壁场板的gan基准垂直肖特基功率二极管）的击穿电压为175 v，并且sfp-sbd的反向漏电流远小于c-sbd。
c-sbd和sfp-sbd的电场分布图，发现sfp-sbd的台面侧壁电场显著降低，这样可以有效改善边缘终端特性，降低侧壁缺陷产生的漏电流，避免器件的提前击穿。图2（d）展示了不同sbd器件的导通比电阻和击穿电压的关系，可以预测出通过增加漂移层的厚度，该sfp-sbd有望实现650 v的击穿电压。
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