二极管产生反向恢复过程的原因
由于二极管外加正向电压时，载流子不断扩散而存储了大量的电荷，因此导致了反向恢复存在一个过程。
当外加正向电压时，ｐ区的空穴向ｎ区扩散，ｎ区的电子向ｐ区扩散。这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且载流子有相当数量的剩余存储，在ｐ区内存储了电子，而在ｎ区内存储了空穴，它们都是非平衡少数载流子，如下图4所示。
空穴由ｐ区扩散到ｎ区后，并不是立即与ｎ区中的电子复合而消失，而是在一定的扩散长度内，一边继续扩散，一边与电子复合消失。
这样就会在扩散长度的范围内存储一定数量的空穴，并形成一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小 。
正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。
电子扩散到ｐ区的情况也类似，下图为二极管中存储电荷的分布示意图。
我们把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。
当输入电压突然由+vf 变为-vr 时，ｐ区存储的电子和ｎ区存储的空穴不会马上消失，而是通过以下两个途径逐渐减少：
① 在反向电场作用下，ｐ区电子被拉回ｎ区，ｎ区空穴被拉回ｐ区，形成反向漂移电流ir，如图 6所示；
② 与载流子复合，在这些存储电荷消失之前，ｐｎ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ｐｎ结的电阻仍很小，与rl相比可以忽略。
所以此时反向电流ir ≈ vr / rl（vr 》》 vd ）。
在这段期间，ir 基本上保持不变，主要由vr 和rl 所决定。
在经过时间ts 后，ｐ区和ｎ区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流ir 逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。
所以，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。
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空穴由ｐ区扩散到ｎ区后，并不是立即与ｎ区中的电子复合而消失，而是在一定的扩散长度内，一边继续扩散，一边与电子复合消失。
这样就会在扩散长度的范围内存储一定数量的空穴，并形成一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小 。
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② 与载流子复合，在这些存储电荷消失之前，ｐｎ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ｐｎ结的电阻仍很小，与rl相比可以忽略。
所以此时反向电流ir ≈ vr / rl（vr 》》 vd ）。
在这段期间，ir 基本上保持不变，主要由vr 和rl 所决定。
在经过时间ts 后，ｐ区和ｎ区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流ir 逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。
所以，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。
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