5G基站为5G终端设备联网提供高速率无线接入
5g基站是5g网络的核心设备，为5g终端设备联网提供高速率无线接入，实现有线通信网络与无线终端之间的信号传输。由于应用的需要，要求5g基站比3g、4g基站有着更小的体积、更轻的重量、更高的高温可靠性（aau核心处理单元温度可达120℃以上），故5g基站设备选取的元器件对体积、功耗、可靠性等要求也更加严苛。
维安（wayon）tp3系列p-tvs具有高通流、高可靠性、小型化等特点，已经在5g设备供应商中大批量供应。
tp3系列产品适用于5g基站电源端口的雷击浪涌防护，可满足1.2/50μs-8/20μs 3ka等级浪涌防护需求。本系列产品在传统的大通流tvs防浪涌器件基础上，针对5g基站的应用进行了性能优化：
★高温（90℃）下性能衰减极小；
★器件功率密度高，体积小，满足基站小型化上塔的需求；
★产品可靠性高，满足pct、htrb、tc、hast、uhast等多项可靠性测试标准；
★tp3系列产品，经过五次的迭代后性价比高。
第一代为涂粉工艺的插件产品，尺寸典型值为24.1*10.3*14mm3。为传统的大通流tvs封装方式，工艺成熟，但封装体积较大。
第二代为涂粉工艺的贴片产品，尺寸典型值为10.5*9.5*14mm3。是为了配合贴片自动化的需求和缩小体积的需求而开发的产品。第二代产品相比之前产品占版面积更小且可以满足客户贴片生产的需求。
第三代产品为模组工艺产品，tps封装，尺寸典型值为10*8.8*8.8 mm3。本代产品在行业内率先引入模组化封装的概念，使其外观尺寸在上一代基础上明显缩小，且在产品共面度控制、浪涌性能上显著提升，封装应力小、可靠性高。
第四代产品为塑封工艺产品，smd封装，尺寸典型值为10.8*8.3*5.75mm3。器件体积较上一代显著缩小，第四代产品通过设计创新，使其具备了低封装应力、高散热、高可靠性等优点。
第五代产品为芯片级封装工艺，α-dfn封装，尺寸典型值为8.1*8.1*2.25 mm3。体积仅为第一代产品的4.3%，首创使用ic封装工艺对1.2/50μs-8/20μs组合波3ka等级大通流tvs产品进行封装，极大的减少了器件体积和占版面积，使大通流浪涌器件应用到pcb正面板上成为可能，此产品目前处于试生产阶段，预计2021年第三季度稳定量产。
目前主推第三代和第四代产品，系列规格如下：
随着tp3系列五代更新，已申请多项专利，其中多项技术国内首创国际领先。
维安（wayon）是电路保护元器件及功率半导体提供商，wayon始终坚持“以客户为导向，以技术为本，坚持艰苦奋斗”的核心价值观，致力于通过技术创新引领市场，努力成为全球电路保护元器件及功率半导体的领先品牌。
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★器件功率密度高，体积小，满足基站小型化上塔的需求；
★产品可靠性高，满足pct、htrb、tc、hast、uhast等多项可靠性测试标准；
★tp3系列产品，经过五次的迭代后性价比高。
第一代为涂粉工艺的插件产品，尺寸典型值为24.1*10.3*14mm3。为传统的大通流tvs封装方式，工艺成熟，但封装体积较大。
第二代为涂粉工艺的贴片产品，尺寸典型值为10.5*9.5*14mm3。是为了配合贴片自动化的需求和缩小体积的需求而开发的产品。第二代产品相比之前产品占版面积更小且可以满足客户贴片生产的需求。
第三代产品为模组工艺产品，tps封装，尺寸典型值为10*8.8*8.8 mm3。本代产品在行业内率先引入模组化封装的概念，使其外观尺寸在上一代基础上明显缩小，且在产品共面度控制、浪涌性能上显著提升，封装应力小、可靠性高。
第四代产品为塑封工艺产品，smd封装，尺寸典型值为10.8*8.3*5.75mm3。器件体积较上一代显著缩小，第四代产品通过设计创新，使其具备了低封装应力、高散热、高可靠性等优点。
第五代产品为芯片级封装工艺，α-dfn封装，尺寸典型值为8.1*8.1*2.25 mm3。体积仅为第一代产品的4.3%，首创使用ic封装工艺对1.2/50μs-8/20μs组合波3ka等级大通流tvs产品进行封装，极大的减少了器件体积和占版面积，使大通流浪涌器件应用到pcb正面板上成为可能，此产品目前处于试生产阶段，预计2021年第三季度稳定量产。
目前主推第三代和第四代产品，系列规格如下：
随着tp3系列五代更新，已申请多项专利，其中多项技术国内首创国际领先。
维安（wayon）是电路保护元器件及功率半导体提供商，wayon始终坚持“以客户为导向，以技术为本，坚持艰苦奋斗”的核心价值观，致力于通过技术创新引领市场，努力成为全球电路保护元器件及功率半导体的领先品牌。
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