VMOS场效应管的检测方法及注意事项
vmos场效应管的检测方法及注意事项
vmos场效应管的检测方法
（1）．判定栅极g
将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极s、漏极d
由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）．测量漏-源通态电阻rds（on）
将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）．检查跨导
将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块，内部有n沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售vnf系列（n沟道）产品，是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120mhz，idsm=1a，pdm=30w，共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30w
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）．测量漏-源通态电阻rds（on）
将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）．检查跨导
将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块，内部有n沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。
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（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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