Vashay推出下一代D系列高压功率MOSFET
宾夕法尼亚、malvern — 2012 年 5 月3 日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出其下一代d系列高压功率mosfet的首款器件。新的400v、500v和600v n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3a～36a电流，采用多种封装。
今天发布的d系列mosfet基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。
400v、500v和600v器件的导通电阻分别为0.17ω、0.13ω和0.34ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电（hid）照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。
d系列mosfet中的400v、500v和600v器件的栅极电荷分别为9nc、6nc和45nc，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中mosfet的关键优值系数（fom），400v、500v和600v器件的fom分别为7.65 ω-nc、15.6 ω-nc和12.3 ω-nc。
新的d系列mosfet采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管，易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合rohs指令，符合iec 61249-2-21的无卤素规定，雪崩（uis）定级让器件能够稳定可靠地工作。
器件规格表：
*目标标准，产品即将面世
新的d系列mosfet现可提供样品，将在2012年3季度实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十六周。
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400v、500v和600v器件的导通电阻分别为0.17ω、0.13ω和0.34ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电（hid）照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。
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