【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
(1)mosfet器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻rds(on)的因素如图3-7和方程式3-(1)所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。
(2)例如，许多中高压mosfet(250v及以上)具有平面mos(π-mos)结构，而小于200v的产品大多具有沟槽mos(u-mos)结构。因此，当耐受电压vdss=600v时，rdrift成为主导因素，当耐受电压是30v时，因素rch的比例较高。
图3-7(a)d-mos的导通电阻决定因素
图3-7(b)沟槽mos的导通电阻决定因素
rds(on)=rsub+rdrift+rj-fet+rch+rn+
rds(on)=rsub+rdrift+rch+rn+・・・方程式3-(1)
如果是vdss=600v，顺序为rdrift >> rch > rj-fet，rn+，rsub和rds(on)取决于rdrift
如果是vdss=30v，顺序为rch >> rdrift > rn+，rsub。沟槽mos结构的精细图形化可以最大限度降低rds(on)对rch的依赖性
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