新硅聚合实现6英寸光学级硅基高均匀性铌酸锂薄膜的工程化制备
上海微系统所异质集成xoi课题组孵化的上海新硅聚合半导体有限公司（简称：新硅聚合）近期实现了6英寸的光学级硅基高均匀性铌酸锂薄膜（lnoi）的工程化制备。如图1（a）为所制备的6 inch lnoi薄膜照片，得益于ln与si衬底之间良好的键合工艺，所制备的6 inch lnoi无孔洞，划伤等缺陷。图1（b）为所制备的600 nm 6 inchlnoi 产品薄膜厚度mapping图。
测试结果表明，其薄膜厚度平均值为600.1 nm，薄膜厚度面内极差（range，膜厚最大值与最小值之差）仅为8.93 nm，计算得到的膜厚不均匀性为±0.7%，显示出极好的薄膜均匀性，可为高均匀性光学器件的制备提供优异的异质晶圆基础。
图1（a）高均匀性6 inch晶圆级硅基铌酸锂薄膜照片；（b）高均匀性6 inch晶圆级硅基铌酸锂薄膜厚度测试图
基于所制备的薄膜铌酸锂材料，实现了高q值微环谐振器的制备。图2（a）为微环谐振器光镜图，图2（b）为微环谐振器测试结果，其ql值可达1.99×106。
图2（a）ln微环谐振器光镜图；（b）ln微环谐振器1550 nm波长附近传输图谱测试结果
除了硅基铌酸锂薄膜晶圆外，团队开发了多种铌酸锂异质衬底的制备技术，如sic，蓝宝石和石英等。这些新型铌酸锂薄膜异质衬底结构可用于新型高性能光学器件以及5g声学谐振器和滤波器的制备。图3为相应的晶圆衬底结构示意图及对应的晶圆级铌酸锂薄膜照片。多种新型衬底铌酸锂薄膜的制备，可进一步丰富铌酸锂薄膜的应用场景。
图3（a）6 inch 碳化硅基ln薄膜结构及照片；（b）4 inch蓝宝石基ln薄膜结构及照片；（c）4 inch石英基ln薄膜结构及照片
其中，sic基铌酸锂薄膜结构可用于5g通信中的高频大带宽声表面波滤波器的制备。图4为基于sic基铌酸锂薄膜所制备的高频大带宽滤波器的测试结果。滤波器中心频率达到了4.88 ghz，3 db带宽高达408 mhz，插入损耗仅为0.96 db，带外抑制为26 db，显示出应用于5g中高频段的巨大潜力。
图4 sic基ln薄膜saw滤波器测试结果
未来，新硅聚合将更进一步致力于高品质压电、光电薄膜的研发和量产化，为广大国内外客户提供优质的产品与服务。
物联网网关的定位方式
摆脱充电垫,Ossia的新式无线充电技术有望明年面世!
重庆首个“物联网体感大数据实验室”在重庆大学正式揭牌成立
一文看懂光猫gpon和epon的区别
2016香港电子展18日开幕 VR一体机集结亮相引人关注
新硅聚合实现6英寸光学级硅基高均匀性铌酸锂薄膜的工程化制备
索尼Xperia XZ Premium评测：索尼Xperia XZ尊享版对比三星S8Plus，日韩机皇东京实拍哪家强？
美国证监会针对CBOE比特币ETF申请征求意见
变压器的使用方法 变压器安装遵守事项
三元聚合物锂离子电池和磷酸铁锂离子电池哪个续航更长？
奥迪Q3 1.4T 30 TFSI上手体验评测
华为Mate Xs将于今晚亮相 预计搭载麒麟990 5G芯片
无源低通滤波器原理
MSP430F149在电力测控保护产品中的应用
体验简直爽爆，荣耀8升级emui5.0系统评测
智慧供暖实现“暖气自由”
网卡类WiFi模块系列七：SDIO接口双通道单/双频高性能多功能WiFi模块
将其Android应用的Java代码迁移到Kotlin
汽车视觉系统要求更高效的电源管理系统
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产 实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点
测试结果表明，其薄膜厚度平均值为600.1 nm，薄膜厚度面内极差（range，膜厚最大值与最小值之差）仅为8.93 nm，计算得到的膜厚不均匀性为±0.7%，显示出极好的薄膜均匀性，可为高均匀性光学器件的制备提供优异的异质晶圆基础。
图1（a）高均匀性6 inch晶圆级硅基铌酸锂薄膜照片；（b）高均匀性6 inch晶圆级硅基铌酸锂薄膜厚度测试图
基于所制备的薄膜铌酸锂材料，实现了高q值微环谐振器的制备。图2（a）为微环谐振器光镜图，图2（b）为微环谐振器测试结果，其ql值可达1.99×106。
图2（a）ln微环谐振器光镜图；（b）ln微环谐振器1550 nm波长附近传输图谱测试结果
除了硅基铌酸锂薄膜晶圆外，团队开发了多种铌酸锂异质衬底的制备技术，如sic，蓝宝石和石英等。这些新型铌酸锂薄膜异质衬底结构可用于新型高性能光学器件以及5g声学谐振器和滤波器的制备。图3为相应的晶圆衬底结构示意图及对应的晶圆级铌酸锂薄膜照片。多种新型衬底铌酸锂薄膜的制备，可进一步丰富铌酸锂薄膜的应用场景。
图3（a）6 inch 碳化硅基ln薄膜结构及照片；（b）4 inch蓝宝石基ln薄膜结构及照片；（c）4 inch石英基ln薄膜结构及照片
其中，sic基铌酸锂薄膜结构可用于5g通信中的高频大带宽声表面波滤波器的制备。图4为基于sic基铌酸锂薄膜所制备的高频大带宽滤波器的测试结果。滤波器中心频率达到了4.88 ghz，3 db带宽高达408 mhz，插入损耗仅为0.96 db，带外抑制为26 db，显示出应用于5g中高频段的巨大潜力。
图4 sic基ln薄膜saw滤波器测试结果
未来，新硅聚合将更进一步致力于高品质压电、光电薄膜的研发和量产化，为广大国内外客户提供优质的产品与服务。
物联网网关的定位方式
摆脱充电垫,Ossia的新式无线充电技术有望明年面世!
重庆首个“物联网体感大数据实验室”在重庆大学正式揭牌成立
一文看懂光猫gpon和epon的区别
2016香港电子展18日开幕 VR一体机集结亮相引人关注
新硅聚合实现6英寸光学级硅基高均匀性铌酸锂薄膜的工程化制备
索尼Xperia XZ Premium评测：索尼Xperia XZ尊享版对比三星S8Plus，日韩机皇东京实拍哪家强？
美国证监会针对CBOE比特币ETF申请征求意见
变压器的使用方法 变压器安装遵守事项
三元聚合物锂离子电池和磷酸铁锂离子电池哪个续航更长？
奥迪Q3 1.4T 30 TFSI上手体验评测
华为Mate Xs将于今晚亮相 预计搭载麒麟990 5G芯片
无源低通滤波器原理
MSP430F149在电力测控保护产品中的应用
体验简直爽爆，荣耀8升级emui5.0系统评测
智慧供暖实现“暖气自由”
网卡类WiFi模块系列七：SDIO接口双通道单/双频高性能多功能WiFi模块
将其Android应用的Java代码迁移到Kotlin
汽车视觉系统要求更高效的电源管理系统
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产 实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点