安森美半导体在APEC 2021发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案
全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案
2021年6月8日—推动高能效创新的安森美半导体 （on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：on），发布一对1200 v完整的碳化硅 （sic） mosfet 2-pack模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 （ev） 市场的产品系列。
随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kw的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。
新的1200 v m1完整 sic mosfet 2 pack模块，基于平面技术，适合18 v到20 v范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式mosfet相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。
nxh010p120mnf配置为2-pack半桥架构，是采用f1封装的10 mohm器件，而nxh006p120mnf2是采用f2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 （ntc） 热敏电阻有助于温度监测。
新的sic mosfet模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与ncd5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的ncd57252双通道隔离型igbt/mosfet门极驱动器提供5 kv的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
ncd57252采用小型soic-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 v、5 v和15 v）。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 a/灌电流6.0 a）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。
安森美半导体的 sic mosfet与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰 （emi） 得以改善，并减小系统尺寸和重量。
最近发布的 650 v sic mosfet 采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，使（rds（on）*area） 的品质因数 （fom） 达到同类最佳。该系列器件如nvbg015n065sc1、ntbg015n065sc1、nvh4l015n065sc1 和 nth4l015n065sc 等是市场上采用d2pak7l / to247 封装的具有最低rds（on） 的mosfet。
1200 v和900 v n沟道sic mosfet芯片尺寸小，减少了器件电容和门极电荷（qg - 低至220 nc），从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。
在 apec 2021 期间，安森美半导体将展示用于工业应用的 sic方案，并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案。
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