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几类器件慎重采用串并联结构设计
几类器件慎重采用串并联结构设计。继电器不允许并联一起以提供较大电流、两只电容或两只开关类管子(igbt、三极管、mosfet等)不用于串联结构以解决单只耐压不足的问题。
原因是:在希望开关管同步导通的时候,实际工作中,两个的完全同步是做不到的,这种微小的差异会导致的潜在隐患是一只导通,另一只尚未导通时,全部的耐压会施加到一只管子上去,反而容易导致器件的损坏,这在可靠性模型上其实是容易带来问题的串联模型,并不是我们从功能设计理解上的两只一起分压实现的并联模型。
通过两只继电器并联提供较大电流,继电器的触点的同步性也是难以保证的,这样,启动初期,一直刚导通,另一只还未导通,易引起继电器触点粘连。
电容的串联是因为电容的容值误差较大,串联使用时,其上的分压会偏差比较大,所以,最好在每支电容的两端并上一只电阻(两只阻值的比值大小与电容的容值比例大小相同,且阻值不要太小,以免静态电流大导致静态功耗高)
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