ALLOS与KAUST即将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED
据报道，德国硅基氮化镓专家allos semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（kaust）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基ingan红色micro led。
据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined stark effect，qcse）等问题限制了红色氮基led在实际工业应用中的使用，而allos与kaust本次合作将致力于解决这些基本问题。
值得注意的是，在micro led显示领域，除了蓝色和绿色led之外，micro led显示还对在大尺寸晶圆上生长红色led有强劲的需求，目的在于降低制造复杂性和成本。
据悉，kaust团队此前通过采用局部应变补偿（local strain compensation）和改良后的mocvd反应器设计，在开发正向电压（forward voltage）低于2.5v且高效的ingan基红色micro led方面获得了一些突破。他们已在蓝宝石衬底和ga2o3（氧化镓）衬底上生长出红色led。
为了采用晶圆级（尤其是大尺寸晶圆）工程应变技术来开发潜在高性能红色led，kaust团队与allos共同将研究工作延伸到硅衬底上。凭借能够将晶圆片扩展到300mm以及在硅衬底产线上加工的能力，双方的合作将加快量产进程。对于micro led显示器，特别是用于ar设备的单片集成micro led显示器而言，这将是另一个重要的助攻。
kaust团队与allos将充分利用各自的专业知识来处理应变问题，优化硅基氮化镓和红色led的晶体生长条件，进而实现在硅基氮化镓缓冲层上生长红色led堆栈（stack）。
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