安建科技推出基于七层光罩工艺的12英寸第七代IGBT芯片
近期，半导体产业网记者从安建科技官微获悉，安建科技将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch igbt加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代igbt的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内igbt芯片及加工工艺设计方面的双重技术领先优势。
依托于***的光罩（litho）工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺，光罩的层数是影响半导体芯片工艺复杂度及加工成本的关键指标。当代沟槽-场截止型igbt一般采用9-10层光罩进行加工。
安建早于2019年即在国内顶尖8-inch晶圆厂成功开发并量产了仅采用7层光罩工艺的第七代沟槽-场截止igbt技术，是国内第一家量产第七代igbt的国产厂家，并完全拥有相关自主知识产权。
下图为：安建科技采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200v-25a igbt晶圆。
光罩层数的减少并未对器件性能、坚固性及可靠性造成任何影响。采用上述晶圆封装的第七代1200v-25a pim模块，型号为jg1a25p120dg2（pin-to-pin兼容国外进口的第七代easypim-1b模块）。相应的模块产品已通过工业变频及伺服驱动等客户测试认证。
相应模块在某知名客户4kw高频电机变频器（载频16khz）完全通过各类极限工况测试，测试结果如下：
驱动波形：
相间短路波形：
1s急减速测试波形：
安建科技有限公司是一家专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司， 拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士（ieee fellow）所领衔的业内顶尖技术团队。
公司现有低电压的sgt-mosfet（分裂栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的sj-mosfet（超结金属氧化物场效应晶体管）、field stop trench igbt（绝缘栅双极晶体管）三条成熟的产品线，且研发的功率芯片得到了国内多家应用客户的认可，目前已经在众多领域稳定运行。
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