可用于控制移动设备中的电源和数据信号的紧凑型封装MOSFET
加利福尼亚州irvine。， 10月。 8,2015 /prnewswire/- 东芝美国电子元件公司（taec）*，一家致力于与科技公司合作创造突破性设计的领导者，今天宣布推出两款新的紧凑型mosfet - ssm3k35ctc和ssm3j35ctc。 ssm3k35ctc和ssm3j35ctc采用新开发的紧凑型封装（cst3c），适用于控制移动设备（如智能手机和可穿戴设备）中的电源或数据信号。
在整体占地面积方面，东芝的cst3c封装超出了行业标准。事实上，cst3c封装尺寸仅为行业标准sot-723封装的三分之一。这使得东芝的新型mosfet适用于高密度安装，与使用标准sot-723封装的产品相比，它们能够实现更低的导通电阻。
polarity 零件编号 包裹（尺寸） 绝对最大额定值 r ds（on） t yp。 （ω）
v dss
（v） 我 d
（a） @ | v gs |
= 1.2 v @ | v gs |
= 1.5 v @ | v gs |
=1.8 v @ | v gs |
= 2.5 v @ | v gs |
= 4.5 v
n-ch ssm3k35mfv sot-723
（1.2×1.2 mm） 20 0.18 5 3 - 2 1.5（@ 4v）
ssm3k35ct sot -883
（1.0×0.6 mm）
ssm3k35ctc * 1 cst3c
（0.8×0.6 mm） 20 0.25 2.4 1.7 1.5 1.1 0.75
p-ch ssm3j35mfv sot-723
（1.2×1.2 mm） -20 -0.1 11 8.2 - 5.6 4.3（@ 4v）
ssm3j35ct sot-883
（1.0×0.6 mm）
ssm3j35ctc * 1 c st3c
（0.8×0.6 mm） -20 -0.25 3.2 2.3 2.0 1.5 1.1
* 1：新产品
ssm3k35ctc和ssm3j35ctc包括：
新型紧凑型封装cst3c（0.8×0.6 mm）
可控制，栅极电压为1.2 v
低漏极 - 源极导通电阻：
ssm3k35ctc：r ds（on） =2.4ω（典型值）@v gs = 1.2 v
ssm3j35ctc：r ds（on） =3.2ω（典型值）@v gs = -1.2 v
价格和供货情况
东芝的新型紧凑型mosfet现已上市。
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polarity 零件编号 包裹（尺寸） 绝对最大额定值 r ds（on） t yp。 （ω）
v dss
（v） 我 d
（a） @ | v gs |
= 1.2 v @ | v gs |
= 1.5 v @ | v gs |
=1.8 v @ | v gs |
= 2.5 v @ | v gs |
= 4.5 v
n-ch ssm3k35mfv sot-723
（1.2×1.2 mm） 20 0.18 5 3 - 2 1.5（@ 4v）
ssm3k35ct sot -883
（1.0×0.6 mm）
ssm3k35ctc * 1 cst3c
（0.8×0.6 mm） 20 0.25 2.4 1.7 1.5 1.1 0.75
p-ch ssm3j35mfv sot-723
（1.2×1.2 mm） -20 -0.1 11 8.2 - 5.6 4.3（@ 4v）
ssm3j35ct sot-883
（1.0×0.6 mm）
ssm3j35ctc * 1 c st3c
（0.8×0.6 mm） -20 -0.25 3.2 2.3 2.0 1.5 1.1
* 1：新产品
ssm3k35ctc和ssm3j35ctc包括：
新型紧凑型封装cst3c（0.8×0.6 mm）
可控制，栅极电压为1.2 v
低漏极 - 源极导通电阻：
ssm3k35ctc：r ds（on） =2.4ω（典型值）@v gs = 1.2 v
ssm3j35ctc：r ds（on） =3.2ω（典型值）@v gs = -1.2 v
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