Nitride成功开发R/G/B三种可见光范围内的Micro LED
10月25日，日本技术开发商nitride semiconductors宣布成功开发了r/g/b三种可见光范围内的micro led，红绿蓝光的波长分别是620nm、510nm、450nm，并基于此推出结合micro uv led的试用套件。
据ledinside了解，nitride于2018年成功开发尺寸为12μm x 24μm、波长为385nm的高效micro uv led，并在2021年先后在英国、德国、法国、美国等地区获得专利。nitride利用该专利技术激发红、绿、蓝荧光粉来制备全彩显示屏，并成功将micro uv led芯片微缩至12μm x 24μm，芯片之间在水平方向和垂直方向上的距离皆为5μm，可用于micro led显示器上，有望应用到下一代ar眼镜和智能眼镜等可穿戴设备中。
彼时，nitride表示，这项技术能够降低显示器用micro uv led芯片的成本，nitride正在开发大规模量产化的技术，现已向用户提供样品。如今，nirtide在此基础上新增了可见光范围内的micro led，全彩化micro led开发进程提速。
红、绿、蓝、紫外micro led发射波长数据（48μm×48μm）
nitride介绍，为了方便用户对比每种颜色的特点，公司制备了一个micro rgb+uv led芯片试用套件，该套件由四种波长的micro led组成（四合一套件），包括红、绿、蓝、紫外光。nitride表示，采用micro rgb+uv led套件，micro led显示器开发商可以尝试不同波长和尺寸的芯片，借此选出适用于最适合量产micro led显示器的芯片。
红光micro led芯片发光
值得关注的是，micro led的全彩化一直以来都是行业性难题，尤其是红光led的生产和效率问题，不过gan材料被视作能够解决红光micro led性能问题并助力实现全彩化的佳选。近几年来，首尔半导体、porotech、晶能光电等全球厂商积极通过产学研合作，借力gan材料突破了红光led的问题，获得实质性进展，nitride同样如此。
24μm×48μm红光micro led芯片
此次nitride正是利用ingan代替gaas或gap等传统材料，实现了红光led的开发，此举又一次验证了gan材料的应用潜力，也意味着micro led的全彩化瓶颈正在逐步实现突破，量产进度可期。
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24μm×48μm红光micro led芯片
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