传东芝将投入89.4亿美元扩大NAND闪存产能
传东芝将投入89.4亿美元扩大nand闪存产能
消息人士周三透露，东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元，在日本三重县(mie prefecture)修建一座闪存芯片制造厂。
报道称，东芝的这一计划将使该公司的nand闪存芯片制造能力提高大约一倍。东芝原本打算在2008年修建该工厂，但受经济衰退致产品需求下滑的影响，东芝随后取消了该建厂计划。
市场调研公司isuppli此前发布报告称，全球nand闪存市场去年第三季度营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其nand闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球nand闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。凭借第三季度的营收增长，东芝在全球nand闪存营收中所占的份额从第二季度的29.4%，增加到34.6%，从而巩固了其在该市场上第二的位置。
自去年年初以来，nand闪存的平均销售价格一路上涨，原因是nand闪存供应商削减产能，应对2008年第四季度和2009年第一季度市场供大于求的局面。去年第二季度，nand闪存平均销售价格上涨了18.5%，第三季度上涨了40%。与半导体产业低迷的状况形成鲜明对比，isuppli预计去年全球nand闪存市场营收将增长16.4%，而全球半导体市场营收将下降12.4%。
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