半导体线宽测量首个ISO国际标准正式发布，中国主导制定
近日，国际标准化组织（iso）正式发布了微束分析领域中的一项国际标准“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”。
据悉，该标准是半导体线宽测量方面的首个国际标准，也是半导体检测领域由中国主导制定的首个国际标准。由中国科学技术大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心的丁泽军团队主导制定。
芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸，其中最小的特征尺寸称为关键尺寸（cd），其大小代表了半导体制造工艺的复杂性水平。对cd测量也可称为纳米尺度线宽测量，目前半导体的刻蚀线宽已经降到10 nm以下，其测量的精准性直接决定着器件的性能。
测长扫描电镜（cd-sem）是半导体工业生产中进行实时监控与线宽测量的最为简便和高效的方法。然而，由于扫描电镜的二次电子信号发射在线宽边沿处的加强效应，纳米级线宽的cd-sem图像的解析需要建立高精准算法。
据中国科大官方消息，与传统的经验阈值方法相比，丁泽军团队的测量方法能够给出准确的cd值，并且把线宽测量从单一参数扩展到包含结构形貌特征的信息，适用于如晶圆上的栅极、光掩模、尺寸小至10 nm的单个孤立的或密集的线条特征图案，这不仅为半导体刻蚀线宽的cd-sem准确评测确定了行业标准，也为一般性纳米级尺寸的其它测量法提供了参考。
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