LDO输出噪声对VCO相噪的影响
01—ldo噪声[1]
和信号的相位噪声一样，ldo的噪声在频谱上并非平均分布，同样的，ldo噪声和相位噪声也类似，计算的都是1hz里面的能量。
ldo的噪声功率密度的单位为w/hz，将其开根号，如下式所示，即得到我们在ldo器件手册上看到的单位。
ldo的噪声功率谱密度与频率相关，如下图所示。所以，和相噪一样，表征时，需要标注频偏。
02—ldo输出噪声对vco相噪的影响
（1）理论分析
vco对电源波动的灵敏度定义为vco推压(kpushing)。测量vco推压时，一般在vtune引脚施加直流调谐电压，改变vco的供电电压并测量频率变化。推压系数是频率变化与电压变化之比，单位为hz/v。
ldo的输出噪声引起的相位变化可由下式表示：
频域表示为：
则1hz带宽内的单边带功率谱密度为：
以db表示如下：
这边的单边带功率谱密度的推算可以参照vco输出端的分频器对相噪和杂散的影响文中的推算。只不过需要注意的是，vldo(f)是rms值。所以在计算单边带功率谱密度时，分母上是2而非4。
考虑vco的供电电源对其输出相噪的影响，vco的相噪为：
其中lldo和lvco都为db值。上面的公式即为功率由db值换成线性值，然后再叠加。
vco在锁相环中，其传输函数表现为高通的形式，ldo噪声最终是反应到vco相噪上，亦表现出高通形式。所以，上述公式仅适用于大于pll环路带宽的频率偏移。
由以上公式，若知道pll相应频偏处的指标要求、vco的推压系数、vco相应频偏处的相噪，即可求得所要求的ldo的输出噪声指标。
据文献[3]讲，该公式计算出来的结果与测试结果比较吻合。
（2）仿真软件
在adi的仿真软件adisimpll上，没有把供电噪声对pll的影响考虑在内。如下图所示。
hittite的仿真软件上有，不过，自从hittite被adi收购了后，要找到hittite软件还是比较不容易的，因为被藏在深处，不被adi主推了。
不过从操作界面上来看，还是adisimpll比较友好，所以希望哪天adisimpll把power supply noise对pll性能的影响也考虑进去。
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频域表示为：
则1hz带宽内的单边带功率谱密度为：
以db表示如下：
这边的单边带功率谱密度的推算可以参照vco输出端的分频器对相噪和杂散的影响文中的推算。只不过需要注意的是，vldo(f)是rms值。所以在计算单边带功率谱密度时，分母上是2而非4。
考虑vco的供电电源对其输出相噪的影响，vco的相噪为：
其中lldo和lvco都为db值。上面的公式即为功率由db值换成线性值，然后再叠加。
vco在锁相环中，其传输函数表现为高通的形式，ldo噪声最终是反应到vco相噪上，亦表现出高通形式。所以，上述公式仅适用于大于pll环路带宽的频率偏移。
由以上公式，若知道pll相应频偏处的指标要求、vco的推压系数、vco相应频偏处的相噪，即可求得所要求的ldo的输出噪声指标。
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（2）仿真软件
在adi的仿真软件adisimpll上，没有把供电噪声对pll的影响考虑在内。如下图所示。
hittite的仿真软件上有，不过，自从hittite被adi收购了后，要找到hittite软件还是比较不容易的，因为被藏在深处，不被adi主推了。
不过从操作界面上来看，还是adisimpll比较友好，所以希望哪天adisimpll把power supply noise对pll性能的影响也考虑进去。
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