解决51单片机复位触发的4种方法
51内核的单片机有个比较恼人的特性就是复位期间，io口呈高电平状态，万一io口控制的设备是使用高电平触发的话，在复位的瞬间会造成设备触发。
总结一下接触过的解决方法：
1、把mcu换成别的体系的，譬如avr、pic等，这些单片机复位时io口呈浮空高阻状态，不会造成触发。
2、使用反相驱动，mcu输出低电平反相成高电平再去控制设备。复位时的高电平反相后变成低电平，不会触发。这是比较常用的方法，稳定，但布线复杂了不少。
3、使用光耦隔离。光耦隔离后mcu也是输出低电平打开光耦再驱动被控设备，复位时的高电平不会打开光耦，不会造成误触发。
4、使用多余的io口锁定，这种方法比较奇怪，在没用的io口里挑一个出来接到npn管的基极，再把npn管的发射极接到被控的io口，复位时所有的io口呈高电平，npn管导通，把被控的io口强行拉低，相当于把被控io口的电平锁定为低，避免触发被控的设备。这种方法必须配合软件，复位完毕后必须软件把接npn管基极的那根io置低电平，释放被控的io口。这种方法比较少用，毕竟需要有多余的io口，还必须加上三极管、电阻，布线复杂了不少，成本也增加不少。
5、使用滤波电容。在被控io口对地之间接一uf级电容及k级电阻，类似缓冲作用。开机瞬间io口通过电阻向电容充电，电平有一个逐渐上升的过程。只要电容及电阻的参数选择得当，那么复位时由于缓冲作用io口还没来得及触发设备时那么mcu已经复位完毕把电平拉低了，这样也就避免了误触发。这种方法有一定限制，会造成设备的响应速度变慢，因此被控的io口电平不能变化太快，否则由于电容的缓冲作用，设备无法有效控制。
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