DRAM、NAND和嵌入式存储器技术的观察与分析
最近techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会，jeongdong choe博士介绍了他对最新的dram，nand，新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。
以下概述了讨论的相关主题。
dram
三星，美光和sk hynix等主要dram厂商已经生产出缩小至15 nm设计规则（d ／ r）的dram单元。现在，他们正在开发n ＋ 1和n ＋ 2世代，即所谓的1a（或1α）和1b（或1β），这意味着采用euv的dram单元d ／ r可能能够进一步缩小至12nm以下。由于图形化，漏电流和感测裕度的挑战，单元尺寸微缩的速度越来越慢。
graphic dram和高带宽内存（例如gddr6（x）和hbm2（e））采用20 nm或10 nm级的dram技术节点。
通过在模块中添加低功耗dram芯片，智能手机上的相机模块实现了三颗芯片的堆叠。
在先进的dram产品中可以看到一些创新，例如高k介电材料，柱形电容器，凹槽沟道lv晶体管和hkmg外围晶体管。
展望dram技术趋势和研发路线图，dram微缩将在未来10多年中持续进行。
nand
随着主要nand制造商争相增加3d nand堆叠层的数量，他们都已经推出了自己的96l或128l 3d nand芯片。三星128l v－nand（v6），kioxia和western digital company（wdc）96l bics4，intel ／ micron 96l ／ 128l和176l fg cua以及sk hynix 128l 4d nand puc产品已投放市场。我们将讨论该领域中许多创新的变化。
除了存储密度之外，3d nand还应用于高速ssd，例如三星z－ssd和具有多plane的并行kioxia xl－flash。
sk hynix已达到147层垂直存储单元堆叠；我们将探讨他们的解决方案以及美光的解决方案。
嵌入式和新兴存储技术
尽管micron的x100 ssd目前仅可用于附加卡（aic），但intel不仅将xpoint内存应用程序扩展到常规ssd，而且还扩展到了intel optane非易失内存。
everspin已经发布许多新型pmtj mram产品（第三代，1gb ／芯片基于 28nm工艺），avalanche／renesas（40纳米）和三星／索尼（28fds）。dialog（先前为adesto）的第二代reram（cbram）产品也已上市。
技术路线图
本演示文稿中还包括techinsights对当前和将来的dram，nand和新兴／嵌入式存储器技术分析，趋势和路线图，这些内容通常仅供我们的存储器用户使用。
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