一文带你搞懂本征半导体与PN结
半导体
材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。
本征半导体
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。(由于不含杂质且为晶体结构，所以导电性比普通半导体差)
常温下，少数价电子由于热运动获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子。此时，共价键留下一个空位置，即空穴。原子因失去电子而带正电，或者说空穴带正电。在本征半导体外加一个电场，自由电子将定向移动产生电流;同时，价电子会按一定方向去依次填补空穴，相当于空穴也在定向移动，而且是跟电子反向的运动。本征半导体的电流是这两个电流之和。运载电荷的粒子称之为载流子。
当有一个自由电子的产生，必然会有一个空穴产生，所以自由电子与空穴对是同生同灭。当自由电子在运动中填补了一个空穴，此时两者同时消失，这种现象称之为复合。在一定温度下，两种载流子浓度相同，达到一种动态平衡。当温度升高，热运动会加剧，会有更多的电子挣脱束缚，会导致载流子浓度上升，从而打破这个平衡，温度一定后会再次建立平衡。
杂质半导体
通过扩散工艺，在本征半导体掺入某些元素。
一 .n 型半导体
在本征半导体加入+5 价元素磷，由于加入了最外层为 5 个电子的元素，在形成共价键后会多出一个电子，这个电子就成了自由电子。因为这个半导体自由电子的个数多于空穴个数，而电子带负电，所以称之为 n(negative，负)型半导体。
二 .p 型半导体
在本征半导体加入+3 价元素硼，由于加入了最外层为 3 个电子的元素，在形成共价键后会多出一个空位，硅原子的最外层电子会去填补这个空位，从而会多出一个空穴。空穴带正电，所以称之为 p(positive，正)型半导体。
在 n 型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;在 p 型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
pn 结的形成
采用某种工艺，可以将 p 型半导体和 n 型半导体制作在同一块硅片上。
由于浓度差，会产生扩散运动。同时，在 p 区 n 区交界处，多数载流子浓度降低，p 区出现正离子区，n 区出现负离子区，内部会产生一个内电场。该电场会产生一个运动去阻止扩散运动，这个运动称为漂移运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡就形成了 pn 结。
pn 结的单向导电性
pn 结的电容效应
pn 结存在着等效电容(势垒电容和扩散电容，两者之和称为结电容，具体省略)，由于容抗跟频率成反比，当加在 pn 结上的交流电频率较高时，交流电就可以通过 pn 结的电容形成通路，pn 结会失去单向导电的特性。
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当有一个自由电子的产生，必然会有一个空穴产生，所以自由电子与空穴对是同生同灭。当自由电子在运动中填补了一个空穴，此时两者同时消失，这种现象称之为复合。在一定温度下，两种载流子浓度相同，达到一种动态平衡。当温度升高，热运动会加剧，会有更多的电子挣脱束缚，会导致载流子浓度上升，从而打破这个平衡，温度一定后会再次建立平衡。
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一 .n 型半导体
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二 .p 型半导体
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在 n 型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;在 p 型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
pn 结的形成
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由于浓度差，会产生扩散运动。同时，在 p 区 n 区交界处，多数载流子浓度降低，p 区出现正离子区，n 区出现负离子区，内部会产生一个内电场。该电场会产生一个运动去阻止扩散运动，这个运动称为漂移运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡就形成了 pn 结。
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