TTL与CMOS的区别
ttl——transistor-transistor logic
httl——high-speed ttl
lttl——low-power ttl
sttl——schottky ttl
lsttl——low-power schottky ttl
asttl——advanced schottky ttl
alsttl——advanced low-power schottky ttl
fast(f)——fairchild advanced schottky ttl
cmos——complementary metal-oxide-semiconductor
hc/hct——high-speed cmos logic(hct与ttl电平兼容)
ac/act——advanced cmos logic(act与ttl电平兼容)（亦称acl）
ahc/ahct——advanced high-speed cmos logic(ahct与ttl电平兼容)
fct——fact扩展系列，与ttl电平兼容
fact——fairchild advanced cmos technology
1，ttl电平：
输出高电平>2.4v,输出低电平=2.0v，输入低电平<=0.8v，噪声容限是
0.4v。
2，cmos电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为ttl和coms的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
4，oc门，即集电极开路门电路，od门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。
5，ttl和coms电路比较：
1）ttl电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）ttl电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
coms电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
coms电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
3）coms电路的锁定效应：
coms电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，coms的内部电流能达到40ma以上，很容易
烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止vdd端出现瞬间的高压。
3）在vdd和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启coms电路得电
源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭coms
电路的电源。
6，coms电路的使用注意事项
1）coms电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以
，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的
电流限制在1ma之内。
3）当接长信号传输线时，在coms电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为r=v0/1ma.v0是
外界电容上的电压。
5）coms的输入电流超过1ma，就有可能烧坏coms。
7，ttl门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2）在门电路输入端串联10k电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电
平。因为由ttl门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，
它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电
平。这个一定要注意。coms门电路就不用考虑这些了。
8，ttl电路有集电极开路oc门，mos管也有和集电极对应的漏极开路的od门，它的输出就叫
做开漏输出。
oc门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截
止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也
就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：oc门的输出就是开漏输出；od
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了
能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。od门一般作为输出缓冲/驱
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？
ttl集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做oc门。因为
ttl就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式
输出，高电平400ua，低电平8ma
1.cmos是场效应管构成，ttl为双极晶体管构成
2.coms的逻辑电平范围比较大（5～15v），ttl只能在5v下工作
3.cmos的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，ttl则相差小，抗干扰能力差
4.cmos功耗很小，ttl功耗较大（1～5ma/门）
5.cmos的工作频率较ttl略低，但是高速cmos速度与ttl差不多相当。
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1，ttl电平：
输出高电平>2.4v,输出低电平=2.0v，输入低电平<=0.8v，噪声容限是
0.4v。
2，cmos电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为ttl和coms的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
4，oc门，即集电极开路门电路，od门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。
5，ttl和coms电路比较：
1）ttl电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）ttl电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
coms电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
coms电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
3）coms电路的锁定效应：
coms电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，coms的内部电流能达到40ma以上，很容易
烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止vdd端出现瞬间的高压。
3）在vdd和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启coms电路得电
源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭coms
电路的电源。
6，coms电路的使用注意事项
1）coms电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以
，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的
电流限制在1ma之内。
3）当接长信号传输线时，在coms电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为r=v0/1ma.v0是
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5）coms的输入电流超过1ma，就有可能烧坏coms。
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1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
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5.cmos的工作频率较ttl略低，但是高速cmos速度与ttl差不多相当。
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