三星加速开发160层或更高的超高堆叠NAND 三星电子展示5G毫米波最快下载速度

编者按:最新,长江存储发布128层nand引起业内的高度关注,作为全球存储业的领先企业三星电子毫不示弱,4月17日,外媒消息显示,三星即将完成业界首批160层以上的nand闪存芯片的开发。这家韩国半导体巨头正在利用其“超级缺口”战略来开发该公司的第七代nand闪存芯片,从而使其在竞争中处于优势地位。此外,在5g毫米波的技术开发上,三星电子也首次实现了业界最快的5g速度,该演示使用载波聚合技术将毫米波频谱的多个信道与800mhz频谱进行了合并。
4月17日,据et新闻最新消息,三星电子正在将其“超间隙”策略应用于其nand闪存技术。三星即将完成业界首批160层以上的nand闪存芯片的开发。这家韩国半导体巨头正在利用其“超级缺口”战略来开发该公司的第七代nand闪存芯片,从而使其在竞争中处于优势地位。
160层数将是业内最多的。随着层数的增加,用于存储数据的nand闪存将有更多用途,从而导致更大的容量。
最近,中国半导体公司长江存储最近宣布了其计划在今年年底前批量生产128层nand闪存的计划,但三星电子已经在为下一代做准备。
据业内人士了解,三星电子正在开发具有160层或更高层的第七代v-nand闪存。据悉,三星电子已经在加快开发过程中取得了重大进展。
三星电子正在寻求将“双堆栈”技术应用于第七代v-nand闪存。这项技术在两个不同的时间产生了孔,因此电流可以流过电路。
三星电子一直在使用“单堆叠”技术,一次制造出所有孔。由于层数的增加,三星电子似乎正在考虑采用“双堆栈”技术。
三星公司正在使用双堆栈技术在其v-nand(也称为3d nand)闪存芯片中创建160层或更高的层。可以理解,nand闪存芯片中的层数越高,意味着存储容量越高。此前,存储芯片中使用的最高层数为128,而三星现在已接近生产160层或更高层的芯片。
160层或更高级别的nand闪存将是业内首创。当前商业化的nand闪存的最高层数为128。
尚未有公司宣布已成功开发出160层或更高级别的nand闪存。三星电子和sk海力士去年宣布,他们开发了128层nand闪存。长江存储最近也成功开发了128层存储器,并宣布了其计划在今年年底开始批量生产该存储器的计划。
三星电子展示5g毫米波最快下载速度 据外媒报道,三星电子4月14日表示,该公司在实验室演示中实现了业界最快的5g速度,该演示使用载波聚合技术将毫米波频谱的多个信道与800mhz频谱进行了合并。
该试验使用了三星的5g毫米波接入单元,该接入单元包含传统的基带、射频和天线。三星在2019年10月举行的mwc洛杉矶大会上推出了其5g nr毫米波接入单元。该接入单元采用了mimo技术,在单个单元中拥有1000多个天线组件。
图片来自三星网站
在最近的测试中,三星使用了两个搭载其最新5gmodem芯片组的测试终端。这些终端将信号发送至毫米波接入单元,每个终端达到了约4.3 gbps的传输速率,并且在两款终端都达到了8.5 gbps的业界最高速率。
今年早些时候,三星与verizon合作进行了一项试验,使用的是位于德克萨斯州一张商用网络中的基站。在该试验中,verizon使用三星的5g nr接入单元将28ghz频段上的800mhz带宽频谱进行了聚合。但是,双方并未透露该基站处理了多大的流量。考虑到消费者使用的5g手机数量并不多,它可能并没有处理太多的商用流量。
三星正在韩国和美国研究毫米波技术。该公司表示,它也已经开始支持5g在日本的商用部署。
本文资料来自et news和三星网站,本文整理发布。

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